Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120263
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГайдар, Г. П.-
dc.date.accessioned2015-10-08T10:37:16Z-
dc.date.available2015-10-08T10:37:16Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/120263-
dc.description.abstractПредставлены экспериментальные данные по измерению тензотермоэдс и тензосопротивления трансмутационно легированных и обычных кристаллов n-Si, подвергнутых высокотемпературному отжигу при Т = 1200 оС в течение 2 и 72 ч и охлаждавшихся от температуры отжига до комнатной со скоростями 1, 15, 1000 оС/мин. Показано, что анизотропия термоэдс увлечения в опытах с трансмутационно легированным кремнием при 85 K вследствие действия высокотемпературного отжига сильно возрастает.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ТЕНЗОТЕРМОЭДС И ТЕНЗОСОПРОТИВЛЕНИЕ ТРАНСМУТАЦИОННО ЛЕГИРОВАННЫХ И ОБЫЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Гайдар-1.pdf929,64 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.