ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ТЕНЗОТЕРМОЭДС И ТЕНЗОСОПРОТИВЛЕНИЕ ТРАНСМУТАЦИОННО ЛЕГИРОВАННЫХ И ОБЫЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Гайдар, Г. П.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120263

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Гайдар, Г. П.	-
dc.date.accessioned	2015-10-08T10:37:16Z	-
dc.date.available	2015-10-08T10:37:16Z	-
dc.date.issued	2015	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/120263	-
dc.description.abstract	Представлены экспериментальные данные по измерению тензотермоэдс и тензосопротивления трансмутационно легированных и обычных кристаллов n-Si, подвергнутых высокотемпературному отжигу при Т = 1200 оС в течение 2 и 72 ч и охлаждавшихся от температуры отжига до комнатной со скоростями 1, 15, 1000 оС/мин. Показано, что анизотропия термоэдс увлечения в опытах с трансмутационно легированным кремнием при 85 K вследствие действия высокотемпературного отжига сильно возрастает.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА НА ТЕНЗОТЕРМОЭДС И ТЕНЗОСОПРОТИВЛЕНИЕ ТРАНСМУТАЦИОННО ЛЕГИРОВАННЫХ И ОБЫЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ	ru
dc.type	conference paper	ru
Appears in Collections:	2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Гайдар-1.pdf		929,64 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar