АНАЛИЗ МЕТОДОМ ФРАКТАЛЬНОЙ ПАРАМЕТРИЗАЦИИ ЭВОЛЮЦИИ ГЕОМЕТРИИ ДОМЕННЫХ СТРУКТУР СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ

Abstract

В работе представлены результаты фрактального анализа модификации геометрии доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов при наблюдении с помощью растрового электронного микроскопа (РЭМ). Приведены оценки фрактальных характеристик геометрии доменных конфигураций, визуализируемых в режимах статического и динамического контраста РЭМ. Показано, что фрактальные методы являются чувствительным средством анализа степени несовершенств доменных структур и доменных границ и могут быть использованы для количественной характеристики наблюдаемых модификаций при исследовании сегнетоэлектриков в РЭМ. Установлено, что эффект эрозии доменной границы сегнетоэлектрика, индуцированной электронным облучением в режиме токов электронно-стимулированной поляризации, характеризуется значительным увеличением фрактальной размерности. В режимах динамического контраста было отмечено, что усложнение доменной структуры в процессе ее динамики характеризуется увеличением значения фрактальной размерности изображения и незначительным увеличением фрактальной размерности границ.