Особенности электрофизических характеристик исходных и облученных светодиодов GaP

Abstract

Исследовались серийные красные (GaP:Zn,O) и зеленые (GaP:N) светодиоды, облученные при комнатной температуре электронами с Е = 2 МэВ в импульсном режиме. Измерялись вольт-амперные характеристики (ВАХ) в интервале температур 77 - 300 К. При низких температурах (Т < 90 К) и малых токах (I < 10 мА), кроме описанной в литературе S-образной нестабильности, найден дополнительный участок отрицательного обратного сопротивления. Обнаружено, что обратный ток обусловлен туннелированием носителей при Uобр ≤ 9 В и лавинным умножением – при Uобр ≥ 13 В; в пределах Uобр = 9 - 13 В принимают участие оба механизма. Возрастание тока в области высоких напряжений (Uобр > 19 В) ограничивается сопротивлением базовой части диода. При значительных обратных токах (І > 1 мА) облучение диодов приводит к смещению обратных вольт-амперных характеристик (ВАХ) в сторону больших напряжений.