Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120115
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorДолголенко, А. П.-
dc.date.accessioned2015-10-07T13:56:37Z-
dc.date.available2015-10-07T13:56:37Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/120115-
dc.description.abstractРассчитана температурная зависимость дрейфовых барьеров в n-Si, измеренных в темноте и ИК подсветке за краем собственного поглощения Ge и Si фильтров. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации и подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleДРЕЙФОВЫЕ БАРЬЕРЫ В ПОЛЕ ИК ПОДСВЕТКИ ОБЛУЧЕННОГО БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ КРЕМНИЯru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Долголенко-1.pdf590,05 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.