СРАВНИТЕЛЬНЫЕ НАБЛЮДЕНИЯ МЕТОДАМИ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ И ДИФРАКЦИИ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННОГО НИЗКИМИ ДОЗАМИ ИОНОВ СЕРЕБРА

Abstract

Представлены результаты исследований методами спектральной эллипсометрии (СЭ) и дифракции отраженных электронов (ДОЭ) аморфного кремния (α-Si), сформированного на поверхности монокристаллических подложек (c-Si) низкодозовой и низкоэнергетической имплантацией ионов серебра. Имплантация проводилась с энергией 30 кэВ и плотностью ионного тока в пучке 2 мкА/см2 в интервале доз (6.24×1012-1.3×1016) ион/см2 при комнатной температуре облучаемых подложек. Для двух доз имплантации, 6.24×1013 и 1.87×1014 ион/см2, были проведены облучения с различными плотностями ионного тока от 0.1 до 5 мкA/cm2. Показано, что спектральная эллипсометрия является точным и надежным методом контроля технологического процесса низкодозной ионной имплантации.