Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111568
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorФилимонов, А. В.-
dc.contributor.authorВахрушев, С. Б.-
dc.date.accessioned2015-03-18T17:53:56Z-
dc.date.available2015-03-18T17:53:56Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/111568-
dc.description.abstractПредставленная работа посвящена применению неупругого рассеяния синхротронного излучения для получения информации о фононных дисперсионных кривых в образцах модельного релаксора - магнониобата свинца PbMg1/3Nb2/3O3 (PMN) толщиной менее 100 нм. В результате проведенного исследования тонких пленок PMN разработана методика исследования фононных дисперсионных кривых в эпитаксиальных пленках толщиной порядка 100 нм и проведены измерения динамики решетки тонких пленок PMN.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследованийru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФононная динамика и процессы формирования нанодоменов в тонких пленках релаксоровru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.234-237.pdf454,33 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.