Эволюция композиционного состава пересыщенных сплавов Si02(Ge) при высокотемпературном отжиге

Abstract

Исследована эволюция композиционного состава пересыщенных сплавов Si02(Ge) при высокотемпературном отжиге. С помощью методов резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что отжиг приводит к сублимации оксидов SiO и GeO из сплавов с возможным образованием в них пустот нанометрового размера (пор). Обнаружено, что механизм удаления SiO и GeO сильно зависит от степени пересыщения сплавов и от температуры их отжига. = We report on strong changes in composition of supersaturated Si02(Ge) alloys during thermal treatment. Rutherford backscattering and transmission electron microscopy reveals sublimation of SiO and GeO oxides from Si02(Ge) layers throughout the anneal process. The mechanism of oxides elimination strongly depends on the level of Si02(Ge) alloy supersaturation and anneal temperature. It is demonstrated that SiO and GeO sublimation may cause open-volume defects like pores in alloy layers.