Оптические и электрофизические свойства нестехиометрического нитрида кремния

Abstract

Приводятся сравнительные характеристики люминесцентных и электрофизических свойств пленок SiNx, обогащенных кремнием и азотом. Пленки SiNx разного стехиометрического состава осаждались на подложку Si n-типа с кристаллографической ориентацией (100) методом плазменно-стимулированного газофазного осаждения из смеси моносилана (SiH4) и аммиака (NH3) при температуре 300 °С. Установлено, что для исходных структур интенсивность фотолюминесценции выше, а проводимость ниже в случае пленки нитрида кремния с избытком кремния. Спектры ФЛ отожженных структур сравнимы по интенсивности и имеют одинаковую форму. Для объяснения механизмов проводимости и фотолюминесценции была использована модель дефектных состояний.