Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108288
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
dc.contributor.author | Поздняков, Д. В. | - |
dc.contributor.author | Сперанский, Д. С. | - |
dc.contributor.author | Ерофеенко, В. Т. | - |
dc.date.accessioned | 2015-01-28T10:17:39Z | - |
dc.date.available | 2015-01-28T10:17:39Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.other | № гос. регистрации 20114797 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108288 | - |
dc.description.abstract | Объект исследования – интегральный МОП-транзистор. Цель работы – разработка математических моделей, эффективных ал-горитмов и программы на основе численного самосогласованного решения уравнений Пуассона, Шредингера и Больцмана, предназначенных для моделирования электропереноса в короткоканальных субмикронных приборных структурах интегральной электроники. Определение зависимостей электрофизических параметров и электрических характеристик интегральных МОП-транзисторов для различных рабочих режимов этих приборов. В результате проведенных исследований разработаны математические модели, эффективные алгоритмы и программные средства на основе численного самосогласованного решения уравнений Пуассона, Шредингера и Больцмана, предназначенные для моделирования электропереноса в короткоканальных субмикронных приборных структурах интегральной электроники. Определены зависимости электрофизических параметров и электрических характеристик интегральных МОП-транзисторов для различных рабочих режимов этих приборов. Полученные результаты могут быть использованы при моделирова-нии и оптимизации интегральных МОП-транзисторов. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Построение и программная реализация параллельных алгоритмов для решения задач диффузии примесных атомов и электропереноса носителей заряда в полупроводниковых приборных структурах интегральной электроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. Борздов | ru |
dc.type | report | ru |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2013 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
отчет Борздов 20114797.doc | 2,24 MB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.