Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108247| Заглавие документа: | Решение проблемы расчета ширины запрещенной зоны полупроводников в рамках метода функционала плотности |
| Авторы: | Гусаков, В. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | В работе представлено решение проблемы расчета ширины запрещенной зоны в рамках метода DFT. Анализ полученных результатов показал, что предложенный метод расчета ширины запрещенной зоны дает значения практически совпадающие с измеренными экспериментально. Предложенный метод для расчета ширины запрещенной зоны может быть легко модифицирован для расчета энергетических уровней глубоких дефектов в полупроводниках и электронных свойств наноструктур. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108247 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.170-173.pdf | 468,06 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.