Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108245Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Богородь, В. О. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.contributor.author | Филонов, А. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-01-27T17:44:35Z | - |
| dc.date.available | 2015-01-27T17:44:35Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-234-8 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108245 | - |
| dc.description.abstract | В работе рассмотрены изменения электронных свойства силицида в случае низкоразмерных структур, а именно тонких пленок. Ca2Si кристаллизуется в простой орторомбической структуре. Моделирование структурных и электронных свойств объёмного Ca2Si и тонких пленок на его основе проводились с помощью метода псевдопотенциалов (код VASP) в рамках функционала электронной плотности. Оценены поверхностные энергии для Ca2Si (001), (010) и (100) поверхностей. Отмечено, что Ca2Si (001) является наиболее термодинамически выгодной поверхностью, так как обладает наименьшим значением поверхностной энергии. | ru |
| dc.description.sponsorship | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Зонная структура тонких пленок Ca2Si | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.164-167.pdf | 511,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.