Радиационно-стимулированная диффузия атомов фосфора в кремнии

Abstract

Проведено описании особенностей процессов связанной диффузии примесных атомов и точечных дефектов в условиях неоднородности распределений компонентов дефектно-примесной системы. Расчеты перераспределения ионно-имплантированного фосфора в подложке, находящейся при температуре 700°С и подвергаемой бомбардировке протонами с энергией 140 кэВ, показали, что дефектами, ответственными за диффузию примеси, являются межузельные атомы кремния. Хорошее соответствие результатов расчетов экспериментальным данным позволяет провести исследование процесса перераспределения фосфора при бомбардировке ионами водорода с энергией 1 кэВ однородно легированного слоя с толщиной 0,2 мкм, сформированного по технологии SOI.