Влияние водородной обработки на структурные свойства пленок Si / SiGe, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении

Abstract

В настоящей работе изучалось формирование многослойных структур на основе поликристаллических SiGe и Ge пленок, осажденных при пониженном давлении на кремниевых подложках. Обсуждаются также результаты по поглощению указанных слоев в видимом и ИК диапазоне. В качестве подложек использовались легированные бором 100 мм кремниевые пластины КДБ-20 ориентации (100). РОР и СЭМ исследования позволили изучить структурные свойства и морфологические изменения в структурах на основе Ge. Установлено, что обработка в водороде приводит к увеличению подвижности и диффузии атомов германия. Этот эффект может быть использован для уменьшения шероховатости поверхности структур. Показано, что максимальное поглощение наблюдается в пленках Ge или SiGe толщиной 1,0 мкм или выше.