Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107199
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБабушкина, Н. В.-
dc.contributor.authorМалышев, С. А.-
dc.contributor.authorЖигулин, Д. В.-
dc.contributor.authorРоманова, Л. И.-
dc.date.accessioned2015-01-12T15:50:08Z-
dc.date.available2015-01-12T15:50:08Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/107199-
dc.description.abstractВ работе проведено исследование вольт-фарадных характеристик МОП-структур Ме-DySiO-Si с пленками силиката диспрозия DySiO, полученными в процессе термического окисления пленок диспрозия, осажденных на пленки диоксида кремния. Таким образом, при взаимодействии пленок диспрозия с пленками SiO2 с физической толщиной ~5 нм могут формироваться пленки силиката DySiO с эквивалентной толщиной ~5 нм, которые по электрическим характеристикам в МОП-структуре являются однослойным диэлектриком. При увеличении толщины пленок диспрозия образуется диэлектрик из двух слоев, являющийся по электрическим характеристикам двухслойным диэлектриком.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследованийru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВольт-фарадные характеристики кремниевых МОП-структур с пленками силиката диспрозияru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.32-35.pdf772,42 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.