Механизмы и модели радиационного повреждения современных кремниевых детекторов для суперколлайдеров : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Л. Ф. Макаренко

Abstract

Объектом исследований являются n+–p- и p+–n-структуры на основе стандартного и высокомного кремния, облученные быстрыми электронами. Целью проекта является определение основных закономерностей дефектообразования в высокоомном кремнии и разработка теоретических моделей, позволяющие проектировать радиационно-стойкие приборы на основе кремния. В результате исследований, проведенных в процессе выполнения НИР, подобраны образцы с различным типом легирующей примеси. Проведены тестовые измерения спектров релаксационной спектроскопии глубоких уровней и термостимулированного тока. Проведено тестовое облучение структур и определены интервалы флюенсов, необходимых для проведения запланированных исследований. Оценено содержание фоновых примесей. Определены геометрические условия, позволяющие управлять плотностью потока быстрых электронов. Проведены исследования энергетического спектра и эффективности введения дефектов в результате облучения электронами с плотностью потока 3×1011–2×1012 см-2∙с-1 при номинальной комнатной температуре, а также малыми (2–3×1011 см-2∙с-1) интенсивностями при пониженных температурах (78 и 200 К). Обнаружено влияние возбуждения электронной подсистемы кристалла на отношение скоростей введения бор- и кислородсодержащих комплексов.