https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336819 Mon, 20 Apr 2026 03:24:44 GMT 2026-04-20T03:24:44Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336868 Заглавие документа: Reversal of the motion direction of a Brownian ratchet induced by the curvature reversal of the ratchet potential Авторы: Rozenbaum, V. M.; Rudakouski, A. G.; Shapochkina, I. V. Аннотация: Brownian motion of a particle in a stationary potential profile of universal symmetry is considered, the drift of which occurs due to dichotomous fluctuations of that profile with the coordinate dependence of the fluctuations described by either symmetric or antisymmetric periodic functions. Unlike existing models of ratchet systems, the asymmetry of the system under consideration is introduced by means of fluctuations due to a shift in the positions of their symmetry axes or symmetry centers relative to the stationary profile. In the high-temperature approximation, analytical relations are obtained for the frequency dependence of the ratchet average velocity, which implies the existence of the ratchet effect when two spatial harmonics of the fluctuating potential are taken into account. The temperature dependences of the average velocity have been calculated in the adiabatic mode of the motion. It is shown that the reversal of the curvature of the stationary component of the potential profile under spatially symmetric fluctuations can lead to a reversal of the motion direction. The dependences of the average velocity on the fluctuation frequency, the shift of the symmetry axes of the stationary and fluctuating components of the potential energy, as well as on the ratio of the amplitudes of these components to the thermal energy have been analysed. Optimal motion modes of the ratchet system under consideration have been revealed. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336868 2025-01-01T00:00:00Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336865 Заглавие документа: Перспективы научных исследований и образования в области физики углеродных наноматериалов в Белорусском государственном университете Авторы: Громов, И. Н.; Демиденко, М, И.; Ксеневич, В. К.; Самарина, М. А.; Волынец, Н. И.; Максименко, С. А. Аннотация: Описан разработанный сотрудниками физического факультета БГУ и Института ядерных проблем БГУ научно-учебный лабораторный комплекс для синтеза графеноподобных и наноуглеродных материалов методом химического осаждения из газовой фазы. Отмечено, что целью создания данного комплекса является совершенствование образовательного процесса и материальной базы для проведения научных исследований в области наноматериалов и нанотехнологий в БГУ. Дана краткая характеристика комплекса, позволяющего синтезировать графен на медных и никелевых подложках, а также пленки пиролитического углерода с воспроизводимыми структурными свойствами, что подтверждается результатами анализа образцов методом комбинационного рассеяния света. Приведены типичные спектры комбинационного рассеяния света образцов, синтезированных с использованием лабораторного комплекса. Представлено краткое описание лабораторного практикума, внедренного в образовательный процесс физического факультета БГУ. Рассмотрены перспективы развития образования и научных исследований в области наноматериалов и нанотехнологий в названном университете. Доп. сведения: Авторы выражают признательность О. В. Королик за проведение измерений спектров комбинационного рассеяния света образцов графена и пленок пиролитического углерода. = The authors express their gratitude to O. V. Korolik for measuring the Raman spectra of graphene samples and pyrolytic carbon films. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336865 2025-01-01T00:00:00Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336862 Заглавие документа: Механизм нитридизации слоев диоксида кремния при импульсной фотонной обработке в азотной атмосфере Авторы: Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В. Аннотация: Методом времяпролетной масс-спектроскопии вторичных ионов исследованы профили распре деления концентрации связей Si — N в системе Si – SiO2 после нитридизации диоксида кремния путем импульсной фотонной обработки в азотной атмосфере, обеспечивающей нагрев некогерентным потоком излучения от кварцевых галогенных ламп, который направлен на нерабочую сторону кремниевой подложки, до температуры 1150 °С примерно за 7 с. Слои диоксида кремния толщиной 17,7 нм были получены пирогенным окислением легированных бором подложек монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 12 Ом ⋅ см и ориентацией (100) при температуре 850 °С в течение 40 мин. Установлено, что нитридизация диоксида кремния при импульсной фотонной обработке в азотной атмосфере протекает за счет ускоренной диффузии ионов N−, образующихся из-за туннелирования и термоэлектронной эмиссии электронов с поверхности слоя кремния. Нитридизация приводит к формированию на поверхности диоксида кремния и границе раздела Si – SiO2 слоя с максимальной концентрацией азота путем уменьшения энергии активации образования связей Si — N, обусловленного электронным возбуждением в кремнии и возможным разрывом связей Si — О, Si — ОН, Si — Si. Уменьшение энергии активации происходит в результате изменения напряжений, углов и силы связей Si — О из-за фотонно-температурного воздействия и образования данных связей на поверхности кремния с деформированной кристаллической решеткой ввиду ее механической полировки. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336862 2025-01-01T00:00:00Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336859 Заглавие документа: Структура и электрические свойства гетероэпитаксиальных пленок InSb после воздействия протонов с энергией 1,5 МэВ Авторы: Углов, В. В.; Кулешов, А. К.; Русальский, Д. П. Аннотация: Исследуются гетероэпитаксиальные пленки антимонида индия (InSb) на монокристаллических пластинах арсенида галлия (GaAs) толщиной 2,5 –2,7 мкм, полученные методом вакуумного взрывного термического испарения. Они обладают уникальной стойкостью к сверхнизким температурам открытого космоса, определенному уровню радиационного воздействия и применяются в качестве основного элемента при создании различных микроэлектронных устройств. С использованием метода рентгеновской дифрактометрии изучаются изменения структуры и электрических свойств (в том числе в магнитном поле) гетероэпитаксиальных пленок InSb(100) на подложках GaAs(100) после воздействия протонов с энергией 1,5 МэВ и флюенсами 1 ⋅ 1015, 5 ⋅ 1015 и 1 ⋅ 1016 H+ на 1 см2. Определяется, что угловое положение, интегральная интенсивность, расширение пика дифракции от InSb(100), параметр кристаллической решетки, электрические свойства пленок, механические напряжения в них не изменяются при облучении пленок протонами до флюенса 1 ⋅ 1015 H+ на 1 см2. Устанавливается, что при влиянии на пленки протонов с флюенсами 5 ⋅ 1015 и 1 ⋅ 1016 H+ на 1 см2 происходит уменьшение интегральной интенсивности пика дифракции от InSb(100). Произведенные с использованием программы SRIM расчеты атомных радиационных повреждений и концентрации вакансий в пленках InSb(100) при названных выше флюенсах показали их линейный рост и увеличение значений до 10 раз при максимальном флюенсе протонов. Предполагается, что в результате смещения атомов и накопления радиационных точечных дефектов происходит искажение кристаллической решетки InSb и уменьшается интегральная интенсивность пика дифракции. Отмечается, что при этих условиях облучения увеличиваются напряжение Холла и постоянная Холла, а также уменьшаются концентрация носителей заряда, их подвижность и удельная проводимость пленок. Перспективным представляется исследование радиационной стойкости структуры и электрических свойств пленок InSb после влияния протонов с энергией 1,5 МэВ и высокими флюенсами, которые составляют основу радиационного воздействия в космосе. Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/336859 2025-01-01T00:00:00Z