<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
  <channel>
    <title>ЭБ Коллекция:</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/307591</link>
    <description />
    <pubDate>Mon, 20 Apr 2026 08:09:03 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-04-20T08:09:03Z</dc:date>
    <item>
      <title>Импедансная и DLTS-спектроскопия структур Si3N4/n-Si, облученных высокоэнергетичными ионами: аннотация магистерской диссертации / Екатерина Александровна Ермакова; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Горбачук Н.И.</title>
      <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339296</link>
      <description>Заглавие документа: Импедансная и DLTS-спектроскопия структур Si3N4/n-Si, облученных высокоэнергетичными ионами: аннотация магистерской диссертации / Екатерина Александровна Ермакова; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Горбачук Н.И.
Авторы: Ермакова, Екатерина Александровна
Аннотация: Цель данной работы – исследование методом импедансной и DLTS-спектроскопии электрофизических свойств МДП-структур с нитридом кремния и изучение дефектов структур в объеме кремния и на границе раздела с диэлектриком. В данном исследовании впервые проведена оценка плотности поверхностных состояний в структурах Al/Si3N4/n-Si методом DLTS-спектроскопии, а также их сопоставление с эволюцией плотности поверхностных состояний, происходящей в результате облучения ионами гелия структур Al/Si3N4/n-Si.
Доп. сведения: Полный объем магистерской диссертации составляет 72 страницы, в том числе 47 иллюстраций, 3 таблицы. Список использованных источников содержит 58 наименований.</description>
      <pubDate>Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339296</guid>
      <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
  </channel>
</rss>

