ЭБ Раздел:

Особенности магнитосопротивления неупорядоченных пленок графена, синтезированных методом CVD

Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Особенности магнитосопротивления неупорядоченных пленок графена, синтезированных методом CVD Авторы: Ксеневич, В. К.; Доросинец, В. А.; Романов, В. П.; Смовж, Д. В.; Сорокин, Д. В. Аннотация: Исследованы магниторезистивные свойства мозаичных пленок графена (с толщиной, варьирующейся от 1 до 6 слоев) в температурном интервале 2–300 К и в магнитных полях до 8 Тл. В температурном интервале 2–50 К обнаружен переход от отрицательного к положительному магнитосопротивлению (МС) при повышении величины индукции магнитного поля. При температурах выше 50 К во всем диапазоне магнитных полей 0–8 Тл наблюдалось только положительное магнитосопротивление без тенденции к насыщению по величине. Значение положительного магнитосопротивления ∆R/R 0 увеличивалось с повышением температуры. Максимальное значение ∆R/R 0 ~ 0,25 зарегистрировано при 300 К в магнитном поле B = 8 Тл. Отрицательное магнитосопротивление обусловлено проявлением эффекта слабой локализации. Обнаружена зависимость величины магнитосопротивления от полярности магнитного поля, что объясняется неинвариантностью путей протекания тока при противоположных направлениях магнитного поля в системах с размерами неоднородностей, превышающих длину свободного пробега носителей заряда Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах

Определение контактного поля нано-гетеро-перехода

Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Определение контактного поля нано-гетеро-перехода Авторы: Имамов, Э. З.; Муминов, Р. А.; Каримов, Х. Н.; Имамов, А. Э.; Аскаров, М. А. Аннотация: В настоящей работе концепция многопереходности легла в основу построения модели принципиально новой контактной структуры: «нанообъект–полупроводник». Это не традиционный сплошной р–n-переход со сплошным контактом двух типов полупроводниковых материалов. Это контакт между нанесенным нанообъектом и однородной полупроводниковой подложкой. При соприкосновении нанообъекта с подложкой между ними устанавливается термодинамическое равновесие, сопровождающееся выравниванием уровней Ферми и возникновением контактного поля особой геометрии, поскольку возникает между точечным объектом (10–40 нм) и свободной подложкой. По аналогии с теорией полупроводникового тонкого р–n-перехода [1–11] рассчитано контактное поле нано-гетеро-перехода Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах

Структурные и электрические характеристики гибридных систем Si/SiO2/graphene+Cu/Ni

Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Структурные и электрические характеристики гибридных систем Si/SiO2/graphene+Cu/Ni Авторы: Казимиров, Н. А.; Конаков, А. О.; Федотов, А. К.; Воробьёва, С. А.; Харченко, А. А.; Федотова, Ю. А. Аннотация: Показано, что при осаждении частиц никеля на легированный медью графен формируются как одиночные частицы со средним размером около 30 нм, так и их агломератами. Установлено, что легирование медью происходит по всей площади, а осаждение частиц никеля концентрируется в области относительно крупных областей дефектного графена. Температурная зависимость проводимости исследуемой структуры демонстрирует полупроводниковый характер Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах

Влияние кластеров никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элемента

Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Влияние кластеров никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элемента Авторы: Кенжаев, З. Т.; Зикриллаев, Н. Ф.; Оджаев, В. Б.; Исмайлов, К. А.; Просолович, В. С.; Исмайлов, Б. К.; Абдужалилов, А. А.; Абдикаримова, М. А. Аннотация: Данная работа посвящена изучению влияния кластеров никеля на эффективность кремниевого солнечного элемента, включая слои, обогащенные никелем. Исследования показывают, что кластеры никеля могут способствовать увеличению времени жизни носителей заряда и повышению коэффициента полезного действия (КПД) солнечных элементов. В работе проанализированы основные механизмы, благодаря которым никелевые кластеры могут улучшить эксплуатационные параметры солнечных элементов Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах