<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
  <channel>
    <title>ЭБ Коллекция:</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/292141</link>
    <description />
    <pubDate>Mon, 20 Apr 2026 12:21:54 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-04-20T12:21:54Z</dc:date>
    <item>
      <title>Управление временем жизни неравновесных носителей заряда последовательной имплантацией высокоэнергетичными ионами гелия: аннотация магистерской диссертации / Анастасия Олеговна Задора; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Ковалев А.И.</title>
      <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339178</link>
      <description>Заглавие документа: Управление временем жизни неравновесных носителей заряда последовательной имплантацией высокоэнергетичными ионами гелия: аннотация магистерской диссертации / Анастасия Олеговна Задора; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Ковалев А.И.
Авторы: Задора, Анастасия Олеговна
Аннотация: Целью данной работы является установление влияния радиационных дефектов, введенных при последовательном облучении ионами гелия, на электрические параметры барьерных структур. Объектом исследования являются кремниевые p+-n-диоды, облученные высокоэнергетичными ионами гелия однократно и последовательно энергиями 4,1 и 6,8 МэВ при флюенсах 10^10 и 10^11 см-2. Методика исследования включает в себя DLTS-спектроскопию, импедансную спектроскопию, измерение вольт-амперных характеристик. Уникальность исследования, представленного в данной работы заключается в том, что впервые проведен совместный анализ точечных радиационных дефектов и рассчитаны профили распределения нескомпенсированных доноров по глубине структур, на основе вольт-фарадных характеристик и импедансной спектроскопии, в случае последовательной имплантации ионов гелия в кремний n-типа при указанных условиях.
Доп. сведения: Полный объем магистерской диссертации составляет 68 страниц, в том числе 52 иллюстрации, 9 таблиц. Список использованных источников содержит 32 наименования.</description>
      <pubDate>Wed, 01 Jan 2025 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339178</guid>
      <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
  </channel>
</rss>

