<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
  <channel>
    <title>ЭБ Коллекция:</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/195076</link>
    <description />
    <pubDate>Tue, 21 Apr 2026 07:20:54 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-04-21T07:20:54Z</dc:date>
    <item>
      <title>Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 3</title>
      <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/278153</link>
      <description>Заглавие документа: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 3</description>
      <pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/278153</guid>
      <dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Александр Михайлович Саржевский (1930 - 1983)</title>
      <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/195112</link>
      <description>Заглавие документа: Александр Михайлович Саржевский (1930 - 1983)
Авторы: Воропай, Е. С.; Жолнеревич, И. И.; Клищенко, А. П.
Аннотация: 27 августа 2000 г. исполнилось бы 70 лег известному белорусскому ученому и педагогу, заслуженному деятелю науки Белорусской ССР, доктору физико-математических наук, профессору Александру Михайловичу Саржевскому.</description>
      <pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/195112</guid>
      <dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистора</title>
      <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/195111</link>
      <description>Заглавие документа: Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистора
Авторы: Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
Аннотация: The technique to estimate the total electron charge in the channel of submicron MOSFET is developed. This technique allows to estimate of the total electron charge in the channel both in the linear and saturation modes.</description>
      <pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/195111</guid>
      <dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Об отношении длины окружности к диаметру</title>
      <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/195110</link>
      <description>Заглавие документа: Об отношении длины окружности к диаметру
Авторы: Радыно, Е. М.
Аннотация: Generalization of the notion of number л for arbitrary nonit of euclidian plane is given and strict estimate of  л is obtained.</description>
      <pubDate>Sat, 01 Jan 2000 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/195110</guid>
      <dc:date>2000-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
  </channel>
</rss>

