ЭБ Коллекция:

Electron Paramagnetic Resonance and X-ray Diffraction of Boron- and Phosphorus-Doped Nanodiamonds

Sun, 01 Jan 2017 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Electron Paramagnetic Resonance and X-ray Diffraction of Boron- and Phosphorus-Doped Nanodiamonds Авторы: Binh, N. T. T.; Lapchuk, N.M.; Shimansky, V.I.; Dolmatov, V.Y. Аннотация: Powders of boron- and phosphorus-doped detonation nanodiamonds and sintered pellets of non-doped nanodiamond powders were studied using electron paramagnetic resonance and x-ray diffraction. Doping of detonation nanodiamond crystals with boron and phosphorus was demonstrated to be possible. These methods could be used to diagnose diamond nanocrystals doped during shock-wave synthesis.

Электронный парамагнитный резонанс и рентгеновская дифракция легированных примесными атомами бора и фосфора наноалмазов

Sun, 01 Jan 2017 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Электронный парамагнитный резонанс и рентгеновская дифракция легированных примесными атомами бора и фосфора наноалмазов Авторы: Нгуен, Т. Т. Б.; Долматов, В.Ю.; Лапчук, Н.М.; Шиманский, В.И. Аннотация: Методами электронного парамагнитного резонанса и рентгеновской дифракции исследованы порошки детонационных наноалмазов, легированных примесными атомами бора и фосфора, и спеченные таблетки на основе исходных образцов. Показана возможность легирования кристалла наноалмаза примесными атомами бора и фосфора. Установлена возможность диагностики указанными методами нанокристаллов алмаза, легированных атомами примеси в процессе ударно-волнового синтеза.

Emergent phenomena in kagome thin films: a spectroscopic perspective

Mon, 26 Jan 2026 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Emergent phenomena in kagome thin films: a spectroscopic perspective Авторы: Cai, Yongqing; Uglov, Vladimir Vasilyevich; Zhao, Jijun; Zhang, Huimin Аннотация: Kagome materials have recently emerged as a versatile platform for exploring the intricate interplay among lattice, charge, spin, and orbital degrees of freedom, giving rise to a rich variety of quantum phenomena. While early studies predominantly focused on bulk kagome crystals, recent efforts have increasingly shifted toward their thin-film counterparts, motivated by the pursuit of enhanced tunability and potential device integration. Compared to bulk crystals, thin films offer distinct advantages such as precise control over strain, substrate-induced interactions, and reduced dimensionality, which together enable the modulation of electronic structures and the stabilization of emergent states. In particular, the ability to fine-tune key band features relative to the Fermi level provides a powerful route for engineering exotic states, including flat-band-driven magnetism, topological phases, and correlated electron phenomena. In this review, we provide a comprehensive overview of recent advances in the synthesis, characterization, and electronic structure studies of kagome thin films. We highlight key experimental breakthroughs that reveal how their topological and correlated properties evolve and discuss their broader significance within the landscape of quantum materials. Given the rapid convergence of experimental observations across diverse kagome systems, this review aims to offer timely guidance for future efforts toward unraveling the microscopic mechanisms of these unconventional electronic states.

Структурные и фазовые превращения в системе тиомочевина/ацетат цинка

Sat, 01 Jan 2022 00:00:00 GMT

Заглавие документа: Структурные и фазовые превращения в системе тиомочевина/ацетат цинка Авторы: Чубенко, Е.Б.; Баглов, А.В.; Гнитько, А.А.; Максимов, С.Е.; Борисенко, В.Е.; Кулак, А.И.; Злоцкий, С.В. Аннотация: Методами дифференциального термического анализа и термогравиметрии исследован процесс термического разложения механической смеси тиомочевины и ацетата цинка, в результате которого формируется композитный материал, состоящий из графитоподобного нитрида углерода и сульфида цинка g-C₃N₄/ZnS с возможными включениями оксида цинка ZnO. При проведении синтеза из смеси, содержащей стехиометрическое для сульфида цинка соотношение серы и цинка, может быть получен материал, включающий только кристаллы полупроводникового ZnS, встроенные в матрицу g-C₃N₄. Образование ZnS происходит в температурном диапазоне 317–367°С в результате разложения тиомочевинных комплексов цинка. При нагреве смеси выше 560°С процесс термического разложения g-C₃N₄ ускоряется и полностью завершается при 720–740°С. Показано, что наличие кислорода в атмосфере также увеличивает интенсивность этого процесса, но не изменяет в значительной степени температурный диапазон синтеза и разложения продуктов реакций. Разработанная методика может быть использована для синтеза композитных материалов на основе g-C₃N₄ и других полупроводниковых сульфидов металлов.