<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <channel rdf:about="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/292141">
    <title>ЭБ Коллекция:</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/292141</link>
    <description />
    <items>
      <rdf:Seq>
        <rdf:li rdf:resource="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339178" />
      </rdf:Seq>
    </items>
    <dc:date>2026-04-21T07:00:04Z</dc:date>
  </channel>
  <item rdf:about="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339178">
    <title>Управление временем жизни неравновесных носителей заряда последовательной имплантацией высокоэнергетичными ионами гелия: аннотация магистерской диссертации / Анастасия Олеговна Задора; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Ковалев А.И.</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339178</link>
    <description>Заглавие документа: Управление временем жизни неравновесных носителей заряда последовательной имплантацией высокоэнергетичными ионами гелия: аннотация магистерской диссертации / Анастасия Олеговна Задора; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Ковалев А.И.
Авторы: Задора, Анастасия Олеговна
Аннотация: Целью данной работы является установление влияния радиационных дефектов, введенных при последовательном облучении ионами гелия, на электрические параметры барьерных структур. Объектом исследования являются кремниевые p+-n-диоды, облученные высокоэнергетичными ионами гелия однократно и последовательно энергиями 4,1 и 6,8 МэВ при флюенсах 10^10 и 10^11 см-2. Методика исследования включает в себя DLTS-спектроскопию, импедансную спектроскопию, измерение вольт-амперных характеристик. Уникальность исследования, представленного в данной работы заключается в том, что впервые проведен совместный анализ точечных радиационных дефектов и рассчитаны профили распределения нескомпенсированных доноров по глубине структур, на основе вольт-фарадных характеристик и импедансной спектроскопии, в случае последовательной имплантации ионов гелия в кремний n-типа при указанных условиях.
Доп. сведения: Полный объем магистерской диссертации составляет 68 страниц, в том числе 52 иллюстрации, 9 таблиц. Список использованных источников содержит 32 наименования.</description>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
</rdf:RDF>

