https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/285951 2026-04-21T06:10:15Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/320271 Заглавие документа: Журнал Белорусского государственного университета. Физика. – 2022. – № 2 2022-01-01T00:00:00Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/286151 Заглавие документа: Сергей Николаевич Черенкевич 2022-01-01T00:00:00Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/286150 Заглавие документа: Система управления ядерными знаниями в Республике Беларусь Авторы: Сытова, С. Н. Аннотация: Дан обзор основных понятий в области управления знаниями, в том числе ядерными, с учетом рекомендаций ООН и МАГАТЭ в сфере менеджмента знаний. Проведена оценка состояния систем управления ядерными знаниями в мире, странах Евразийского экономического союза и Республике Беларусь. Проанализированы информационно-аналитическая деятельность и специфика работы национального регулятора в области ядерной и радиационной безопасности – Департамента по ядерной и радиационной безопасности Министерства по чрезвычайным ситуациям Республики Беларусь (Госатомнадзор) – в сфере управления ядерными знаниями, а также названы лучшие отечественные практики и опыт в этой сфере. Дано описание современных информационных технологий для системы управления ядерными знаниями, включая дальнейшее развитие возможностей и инструментов информационных программных продуктов – Интеллектуальной информационной системы сотрудника Госатомнадзора для обеспечения контроля (надзора) в области ядерной и радиационной безопасности и электронного портала ядерных знаний Республики Беларусь BelNET (https://belnet.bsu.by/ ). Приведены основные принципы работы и дальнейшего развития системы управления ядерными знаниями в Республике Беларусь. 2022-01-01T00:00:00Z https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/286149 Заглавие документа: Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки Авторы: Лобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Королик, О. В.; Гайдук, П. И. Аннотация: Представлены результаты исследования структуры и фазового состава эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC), сформированных на кремниевых подложках с ориентацией (100) при быстрой вакуумно-термической обработке. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено образование эпитаксиальных слоев кубического политипа SiC (3C-SiC) на кремнии в процессе карбидизации при 1100 °С в течение 30 с при использовании в качестве источника углерода газовой смеси пропана (10 %) и аргона (90 %). Обнаружено формирование монокристаллического 3С-SiC с поликристаллическими включениями и двойниками по всем возможным плоскостям {111}. Достаточно узкая полоса 793 см–1 поперечной оптической фононной моды SiC в спектре комбинационного рассеяния света подтверждает образование 3С-SiC. Отмечено, что наличие спектральной линии 180 см–1 и полуширина полосы 793 см–1 в спектре комбинационного рассеяния света свидетельствуют о присутствии дефектов деформации в SiC. Доп. сведения: Исследование выполнено в рамках проекта Т22-030 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований, а также частично проекта 3.1.2 государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (№ гос. регистрации 20212702). = This work was supported by the framework of the project T22-030 of the Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research, as well as, in part, the project 3.1.2 of the state program of scientific research «Photonics and electronics for innovation» (No. 20212702). 2022-01-01T00:00:00Z