<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <channel rdf:about="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/257014">
    <title>ЭБ Коллекция:</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/257014</link>
    <description />
    <items>
      <rdf:Seq>
        <rdf:li rdf:resource="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/259358" />
        <rdf:li rdf:resource="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/125592" />
        <rdf:li rdf:resource="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/125591" />
        <rdf:li rdf:resource="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/114151" />
      </rdf:Seq>
    </items>
    <dc:date>2026-04-20T07:59:05Z</dc:date>
  </channel>
  <item rdf:about="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/259358">
    <title>Промышленная и специальная электроника : пособие / Ф. Ф. Комаров</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/259358</link>
    <description>Заглавие документа: Промышленная и специальная электроника : пособие / Ф. Ф. Комаров
Авторы: Комаров, Фадей Фадеевич
Аннотация: В доступной форме представлены основные определения, фундаментальные процессы и явления, типы и принципы функционирования приборных структур промышленной электроники, современной высокоскоростной электроники информационно-коммуникационных систем, а также космической и военной электроники. Обстоятельно рассмотрены принципы, методы, материалы и системы защиты электроприборов от помех и внешних воздействий, включая электромагнитный импульс ядерных взрывов, заряженные частицы и электромагнитные излучения радиационного пояса Земли, естественные и антропогенные электромагнитные излучения в наземных условиях.
Доп. сведения: Полный текст документа доступен пользователям сети БГУ</description>
    <dc:date>2020-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/125592">
    <title>Физика отказов полупроводниковых приборов и интегральных схем : пособие / В. М. Борздов, В. М. Молофеев, А. Н. Сетун</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/125592</link>
    <description>Заглавие документа: Физика отказов полупроводниковых приборов и интегральных схем : пособие / В. М. Борздов, В. М. Молофеев, А. Н. Сетун
Авторы: Борздов, Владимир Михайлович; Молофеев, Вячеслав Михайлович; Сетун, Александр Николаевич
Аннотация: В пособии рассматриваются фундаментальные физико-химические процессы, приводящие к деградации параметров и внезапным отказам полупроводниковых приборов и интегральных микросхем при различных условиях эксплуатации. Излагаются методы расчета и прогнозирования количественных показателей надежности изделий микро- и наноэлектроники, моделирования отказов микро- и наноэлектронных структур и процессов деградации электрофизических параметров в этих структурах, а также физические основы ускоренных испытаний. Для студентов учреждения высшего образования, обучающихся по специальностям 1-31 04 02 «Радиофизика» и 1-31 04 03 «Физическая электроника».
Доп. сведения: Полный текст документа доступен из сети БГУ.</description>
    <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/125591">
    <title>Track nanotechnology and nanoelectronics : textbook / F. F. Komarov, A. V. Leontyev</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/125591</link>
    <description>Заглавие документа: Track nanotechnology and nanoelectronics : textbook / F. F. Komarov, A. V. Leontyev
Авторы: Комаров, Фадей Фадеевич; Леонтьев, Александр Викторович; Komarov, F. F.; Leontyev, A. V.
Аннотация: State of the art of research into processes and mechanisms of defect and track formation in fast ion irradiated materials is reviewed. It is shown that the nature and morphology of tracks depend on the type and structure of the material and on the amount of energy density transferred to its electronic subsystem. It is also shown that the relaxation of high electronic excitations dominates the track formation process.&#xD;
Discontinuous track formation mechanisms and those underlying the migration of atoms and channeling of ions in tracks are discussed.
Доп. сведения: Полный текст документа доступен пользователям сети БГУ.</description>
    <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/114151">
    <title>Advanced Ion Beam and Photon Processings of Materials for Micro-, Opto- and Nanoelectronics / F.F. Komarov, A.R. Chelyadinskii</title>
    <link>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/114151</link>
    <description>Заглавие документа: Advanced Ion Beam and Photon Processings of Materials for Micro-, Opto- and Nanoelectronics / F.F. Komarov, A.R. Chelyadinskii
Авторы: Комаров, Фадей Фадеевич; Челядинский, Алексей Романович; Komarov, F. F.; Chelyadinskii, A. R.
Аннотация: The text-book focuses on the main ways of solving problems of semiconductor materials. Radiation defects, their accumulation, structure transformation into residual damage, influence on electrical activation and diffusion of impurities, formation of inclusions of the impurity second phase and methods of suppression of damage in implanted silicon are analyzed. It is demonstrated that using specially implanted impurities or defects we can fight impurities and defects.
Доп. сведения: Полный текст документа доступен пользователям сети БГУ.</description>
    <dc:date>2013-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
</rdf:RDF>

