<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>ЭБ Коллекция:</title>
  <link rel="alternate" href="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/292141" />
  <subtitle />
  <id>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/292141</id>
  <updated>2026-04-21T05:38:11Z</updated>
  <dc:date>2026-04-21T05:38:11Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Управление временем жизни неравновесных носителей заряда последовательной имплантацией высокоэнергетичными ионами гелия: аннотация магистерской диссертации / Анастасия Олеговна Задора; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Ковалев А.И.</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339178" />
    <author>
      <name>Задора, Анастасия Олеговна</name>
    </author>
    <id>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/339178</id>
    <updated>2025-12-19T03:34:01Z</updated>
    <published>2025-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Заглавие документа: Управление временем жизни неравновесных носителей заряда последовательной имплантацией высокоэнергетичными ионами гелия: аннотация магистерской диссертации / Анастасия Олеговна Задора; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. – доцент Ковалев А.И.
Авторы: Задора, Анастасия Олеговна
Аннотация: Целью данной работы является установление влияния радиационных дефектов, введенных при последовательном облучении ионами гелия, на электрические параметры барьерных структур. Объектом исследования являются кремниевые p+-n-диоды, облученные высокоэнергетичными ионами гелия однократно и последовательно энергиями 4,1 и 6,8 МэВ при флюенсах 10^10 и 10^11 см-2. Методика исследования включает в себя DLTS-спектроскопию, импедансную спектроскопию, измерение вольт-амперных характеристик. Уникальность исследования, представленного в данной работы заключается в том, что впервые проведен совместный анализ точечных радиационных дефектов и рассчитаны профили распределения нескомпенсированных доноров по глубине структур, на основе вольт-фарадных характеристик и импедансной спектроскопии, в случае последовательной имплантации ионов гелия в кремний n-типа при указанных условиях.
Доп. сведения: Полный объем магистерской диссертации составляет 68 страниц, в том числе 52 иллюстрации, 9 таблиц. Список использованных источников содержит 32 наименования.</summary>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

