<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>ЭБ Коллекция: ВИТТ - 2011</title>
  <link rel="alternate" href="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/26283" />
  <subtitle>ВИТТ - 2011</subtitle>
  <id>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/26283</id>
  <updated>2026-04-20T15:06:30Z</updated>
  <dc:date>2026-04-20T15:06:30Z</dc:date>
  <entry>
    <title>СИНТЕЗ НИКЕЛИДА ТИТАНА КОМПРЕССИОННЫМИ ПЛАЗМЕННЫМИ ПОТОКАМИ</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28313" />
    <author>
      <name>Шиманский, В. И.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Асташинская, М. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Рева, О. В.</name>
    </author>
    <id>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28313</id>
    <updated>2020-05-26T09:56:18Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Заглавие документа: СИНТЕЗ НИКЕЛИДА ТИТАНА КОМПРЕССИОННЫМИ ПЛАЗМЕННЫМИ ПОТОКАМИ
Авторы: Шиманский, В. И.; Асташинская, М. В.; Рева, О. В.
Аннотация: В работе представлены результаты исследования фазового состояния поверхностных слоев титана, легированного&#xD;
атомами никеля воздействием компрессионными плазменными потоками. Методом рентгеноструктурного анализа вы-&#xD;
явлено образование никелида титана (TiNi), который является перспективным материалом в области биоматериалове-&#xD;
дения. Установлено, что образование TiNi происходит при плотности поглощенной энергии не превышающей 19 Дж/см2&#xD;
(при толщине покрытия никеля 4 мкм), что обеспечивает концентрацию никеля в модифицированном слое свыше 33 ат.&#xD;
%. Образование наряду с никелидом титана интерметаллида Ti2Ni и твердого раствора β-Ti(Ni) позволяет увеличить&#xD;
микротвердость поверхностного слоя в 3 – 3,5 раза.</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ СПЛАВОВ КОМПРЕССИОННЫМИ ПЛАЗМЕННЫМИ ПОТОКАМИ</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28312" />
    <author>
      <name>Углов, В. В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Асташинский, В. М.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Кулешов, А. К.</name>
    </author>
    <id>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28312</id>
    <updated>2020-05-26T09:56:18Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Заглавие документа: МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ СПЛАВОВ КОМПРЕССИОННЫМИ ПЛАЗМЕННЫМИ ПОТОКАМИ
Авторы: Углов, В. В.; Асташинский, В. М.; Кулешов, А. К.
Аннотация: Исследовано влияние плотности энергии (5 - 27 Дж/см2) воздействия компрессионными плазменными потоками&#xD;
(КПП) на структуру, фазовый состав и микротвердость твердого сплава T15K6, а также системы молибденовое покры-&#xD;
тие - твердый сплав Т15К6. Результатом воздействия КПП является повышение микротвердости поверхностных слоев&#xD;
изучаемых систем более чем в два раза вследствие формирования модифицированного слоя с высокодисперсной&#xD;
структурой, фазовый состав которого соответствует твердому раствору (Ti, W)C, легированного молибденом, а также&#xD;
выделения частиц вторых фаз (TiN, W2N, Mo2N и Мо2С, W2C).</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Si/Si1-xGex:Er/Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28311" />
    <author>
      <name>Прокопьев, С. Л.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Гацкевич, Е. И.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Степихова, М. В.</name>
    </author>
    <id>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28311</id>
    <updated>2020-05-26T09:56:18Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Заглавие документа: СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Si/Si1-xGex:Er/Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ
Авторы: Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Степихова, М. В.
Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции исследованы структурные и оптиче-&#xD;
ские свойства структур Si/Si1-xGex:Er/Si после эпитаксиального выращивания и последующей обработки импульсным&#xD;
лазерным излучением. Структуры выращивались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на крем-&#xD;
ниевых подложках с ориентацией (001) и подвергались лазерному отжигу импульсами длительностью 80 нс с плотно-&#xD;
стью энергии 0,95 Дж/см2 и 1,5 Дж/см2 на длине волны 694 нм. Измерения методом фотолюминесценции проводились&#xD;
при температуре 77 К. Результаты обсуждаются с учетом влияния дефектной структуры слоев Si/Si1-xGex:Er/Si на их&#xD;
оптические свойства.</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ n+- СЛОЕВ В Si и SiGe, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28310" />
    <author>
      <name>Покотило, Ю. М.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Петух, А. Н.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Гиро, А. В.</name>
    </author>
    <id>https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/28310</id>
    <updated>2020-05-26T09:56:18Z</updated>
    <published>2011-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Заглавие документа: ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ n+- СЛОЕВ В Si и SiGe, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ
Авторы: Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Гиро, А. В.
Аннотация: При имплантации протонов с энергией 300 кэВ и последующей термообработке 350 0С в течение 20 мин в кристал-&#xD;
лах Si и SiGe формируются низкоомные n+-слои. Форма профилей описывается гауссовым распределением с полуши-&#xD;
риной ∆Rp=0.49 и 1.38 мкм и концентрацией Н-доноров в максимуме Nmax=7.1015 и 4.2.1016 см-3 соответственно для об-&#xD;
разцов Si и SiGe. Обсуждаются причины снижения эффективности образования Н-доноров и уширения слоя в кристал-&#xD;
лах SiGe.</summary>
    <dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

