Материалы III международной научной конференции, 6-8 октября 1999 г., Минск https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/203870 2026-04-21T13:14:04Z 2026-04-21T13:14:04Z Францкевич, А. В. Кикинев, А. А. https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/206652 2018-10-05T02:33:26Z 1999-01-01T00:00:00Z

Заглавие документа: Анализ легких элементов (С, N, О) и пределы их обнаружения методом Резерфордовского обратного рассеяния в конструкционных материалах Авторы: Францкевич, А. В.; Кикинев, А. А. Аннотация: Обсуждаются возможности применения методики Резерфордовского обратного рассеяния (POP) для исследования образцов с неравномерным распределением элементов по глубине, пределы чувствительности обнаружения легких примесей. Предлагается нетрадиционная методика, позволяющая повысить чувствительность и разрешение по легким элементам (при модификации различных свойств конструкционных материалов с помощью высокодозной и высокоэнергетической имплантации).

1999-01-01T00:00:00Z Ulyashin, A. G. Fedotov, A. K. https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/206651 2018-10-05T02:35:10Z 1999-01-01T00:00:00Z

Заглавие документа: The application of atomic hydrogen effects in silicon and silicon electronic devices technologies Авторы: Ulyashin, A. G.; Fedotov, A. K. Аннотация: An overview of atomic hydrogen effects on the properties of monocrystalline Czochralski-grown (Cz) as well as polycrystalline silicon is presented. The hydrogen passivation of defects and impurities as well as enhancement of radiation hardness was observed. It is shown that the atomic hydrogen acts as a catalyst and can significantly enhance the rate of thermal donors (TDs) formation in p-type Cz Si. This effect is used for the production of the n-p, p-n-p and n-p-n silicon based device structures. The depths of the p-n junctions are dependent on the injected hydrogen ion dose and on the thermal pre-treatments as well as interstitial oxygen concentration in Cz Si. It was shown that the buried defect layers created by hygh-energy hydrogen or helium implantation act as a good getter centers for hydrogen at appropriate heat treatment with the following hydrogenation. The use of this method for the realisation of an kind of SMART-CUT tecnology is discussed.

1999-01-01T00:00:00Z Тюрин, Ю. Н. Колисниченко, О. В. https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/206650 2018-10-05T02:34:13Z 1999-01-01T00:00:00Z

Заглавие документа: Импульсно-плазменное модифицирование Авторы: Тюрин, Ю. Н.; Колисниченко, О. В. Аннотация: Импульсно-плазменное модифицирование поверхности изделий осуществляется комбинированным тепловым и динамическим действием плазменной струи, электромагнитного поля. При этом на поверхности изделия образуется ударно­сжатый слой легирующих элементов из ионной и атомарной составляющих плазмы. Изменяя состав плазмы, можно управлять составом поверхностного слоя. Использование углеводородной плазмы обеспечивает формирование пересыщенных твердых растворов углерода в слое металла. Импульсно-плазменная обработка поверхности является высокопроизводительным процессом поверхностного легирования. Подача компонентов горючей смеси в импульсный плазмотрон осуществляется непрерывно, что упрощает (удешевляет) технологию упрочнения и технологические устройства.

1999-01-01T00:00:00Z Тюрин, Ю. Н. https://elib.bsu.by:443/handle/123456789/206649 2018-10-05T02:34:13Z 1999-01-01T00:00:00Z

Заглавие документа: Особенности электролитно-плазменной закалки (ЭПЗ) Авторы: Тюрин, Ю. Н. Аннотация: За 50 лет (первая работа [1] была опубликована в 1947 г) электролитно-плазменная технология термической обработки не получила широкого распространения. Основной причиной этого служит нестабильность процессов образования плазменного слоя между жидким электродом и твердой электропроводной поверхностью. В работе приведен анализ процессов в плазменном слое между жидким анодом и твердой поверхностью катода. Предложена технология ЭПЗ, где процесс образования и поддержания плазменного слоя стабилизируют путем периодического повышения электрического напряжения. Изменение времени подключения повышенного электрического потенциала позволяет управлять скоростью нагрева в диапазоне от 20 до 500 0CIc, что обеспечивает возможность формировать закаленные слои, которые имеют толщину в диапазоне 0,1... 10 мм. При ЭПЗ плазмообразующим материалом является электролит на водной основе и этим же электролитом осуществляется охлаждение нагретой поверхности. Конфигурация закаленного слоя зависит от конструкции нагревателя и может иметь вид круга, квадрата, кольца или эллипса.

1999-01-01T00:00:00Z