Просмотр Авторы Rusetsky, A. M.
Результаты 1 - 1 из 1
| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
|---|---|---|---|
| 1999 | Formation of buried high-resitant layers in silicon by two-step substoichiometric implantation of nitrogen IONS | Kamyshan, A. S.; Solov’yev, V. S.; Rusetsky, A. M. |