Logo BSU

Просмотр Авторы Anikeev, I. I.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 9 из 9
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2025Activation energy of DC hopping conductivity of lightly doped weakly compensated crystalline semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.
2024Activation Energy of DC Hopping Conductivity of Lightly Doped Weakly Compensated Crystalline SemiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.
2025Calculation of the activation energy of electrical ε2-conductivity of weakly compensated semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.
2023DC hopping photoconductivity via three-charge-state point defects in partially disordered semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
2021Design of Peltier element based on semiconductors with hopping electron transfer via defectsPoklonski, N. A.; Vyrko, S. A.; Kovalev, A. I.; Anikeev, I. I.; Gorbachuk, N. I.
2022High-frequency capacitor with working substance “insulator–undoped silicon–insulator”Poklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
2023Lattice model of nonphonon donor–acceptor photoluminescence in germanium crystalsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
2021Low-frequency admittance of capacitor with working substance “insulator–partially disordered semiconductor–insulator”Poklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
2023Model of DC tunneling conductivity via hydrogen-like impurities in heavily doped compensated semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.