Электронная библиотека БГУ: Browsing DSpace

Issue Date Author Title Subject

Browsing by Author Явид, В. Ю.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:

Showing results 1 to 20 of 23 next >

Issue Date	Title	Author(s)
2022	Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов	Оджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021	Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2010	Влияние радиационных дефектов на диффузию мышьяка и сурьмы в имплантированном кремнии	Джадан, М.; Оскар Хосе Араика Ривера; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.
2012	ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА	Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020	Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2018	Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019	Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019	Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016	Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2018	Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2003	Накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов азота	Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Венгерэк, П.
2021	Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов	Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2023	Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60Сo	Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Точилин, Е. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2004	Остаточные дефекты в кремнии, имплантированном ионами бора и фосфора	Комаров, Ф. Ф.; Джадан, М.; Гайдук, П. И.; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Жуковский, П. В.; Партыка, Я.; Венгерек, П.
2001	Перспективные полупроводниковые материалы: физика и технология	Доросинец, В. А.; Захаров, А. Г.; Ланчук, H. М.; Лукашевич, М. Г.; Поклонский, Н. А.; Челядинский, А. P.; Явид, В. Ю.; Янченко, А. М.
2010	Разработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. А. Р. Челядинский	Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Васильева, Л. А.; Садовский, П. К.; Васильев, Ю. Б.
2020	Разработка компонентов бортовой интеллектуальной системы контроля эксплуатационных свойств и степени загрязнения моторных и трансмиссионных масел : отчет об опытно-конструкторской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. С. Просолович	Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Азарко, И. И.; Петров, В. В.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Карпович, И. А.; Явид, В. Ю.
2020	Разработка физико-технологических методов создания элементов биполярных и комплементарных структур металл-окисел-полупроводник, моделирование и управление их статическими и динамическими характеристиками : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. Оджаев	Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Янковский, Ю. Н.; Явид, В. Ю.; Шестовский, Д. В.
2020	«Разработка физико-технологических методов формирования функциональных наноструктурированных материалов и нанокомпозитов на основе полупроводниковых, стеклообразных и полимерных структур с использованием электромагнитных и ионно-лучевых воздействий» в рамках задания «Разработка физико-технологических методов формирования функциональных наноструктурированных материалов и нанокомпозитов на основе полупроводниковых, силикатных и полимерных структур с использованием электромагнитных и ионно-лучевых воздействий» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. С. Просолович	Просолович, В. С.; Азарко, И. И.; Петров, В. В.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Явид, В. Ю.
2008	Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легирования	Плебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р.

Showing results 1 to 20 of 23 next >