Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Issue Date Author Title Subject

Browsing by Author Поклонский, Н. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 127  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2023DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М.
2023DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М.
2012АВТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ ИЗ КВАНТОВОРАЗМЕРНОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПРОВОЛОКИ В ВАКУУМПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Раткевич, С. В.
Sep-2007Анализ форм линий электронного парамагнитного резонанса каменных углейМунхцэцэг, С.; Поклонский, Н. А.; Хомич, А. В.; Горбачук, Н. И.; Лапчук, Н. М.
2024Аналитическое описание прыжковой электропроводности компенсированных полупроводников и расчеты на примере p-Ge:GaПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.
2012БИПОЛЯРОННАЯ ПРЫЖКОВАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПО ДЕФЕКТАМ В САМОКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Ковалев, А. И.
2008Блочно-регулярное моделирование структуры углеродных нанотрубокВласов, А. Т.; Поклонский, Н. А.; Хиеу, Нгуен Нгок; Вырко, С. А.
2006Блочно-регулярный метод моделирования нанокластеров в полупроводниковых матрицахВласов, А. Т.; Поклонский, Н. А.
1986Влияние анизотропии эффективной массы на высокочастотную прыжковую электропроводность слабо компенсированных полупроводниковКлимкович, Б. В.; Поклонский, Н. А.; Стельмах, В. Ф.
2011ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ермакова, А. В.
2017Влияние облучения быстрыми нейтронами на инфракрасные спектры поглощения CVD-алмазовХомич, А. А.; Ральченко, В. Г.; Поклонская, О. Н.; Ковалев, А. И.; Козлова, М. В.; Попович, А. Ф.; Хмельницкий, Р. А.; Поклонский, Н. А.; Хомич, А. В.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2019Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импедансГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
1999Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 КЛастовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т.
2022Градоотводы Наркевича-Иодко и поиск дополнительных источников электрической энергииГапоненко, О. А.; Поклонский, Н. А.; Самуйлов, В. А.
2022Градоотводы Наркевича-Иодко и поиск дополнительных источников электрической энергииГапоненко, О. А.; Поклонский, Н. А.; Самуйлов, В. А.
2016Графен с дефектами: топология и применение в электромеханике : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.
2007Дефектообразование в природных алмазах при имплантации ионами водородаЛапчук, Н. М.; Поклонская, О. Н.; Хомич, А. В.; Хмельницкий, Р. А.; Заведеев, Е. В.; Поклонский, Н. А.
2022Дипольный момент электрического конденсатора с рабочим веществом «изолятор – собственный полупроводник – изолятор»Поклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
2016Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектамПоклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Вырко, С. А.; Власов, А.Т.
Showing results 1 to 20 of 127  next >