Logo BSU

Browsing by Author Поклонский, Н. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 82  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2012АВТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ ИЗ КВАНТОВОРАЗМЕРНОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПРОВОЛОКИ В ВАКУУМПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Раткевич, С. В.
Sep-2007Анализ форм линий электронного парамагнитного резонанса каменных углейМунхцэцэг, С.; Поклонский, Н. А.; Хомич, А. В.; Горбачук, Н. И.; Лапчук, Н. М.
2012БИПОЛЯРОННАЯ ПРЫЖКОВАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПО ДЕФЕКТАМ В САМОКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Ковалев, А. И.
2008Блочно-регулярное моделирование структуры углеродных нанотрубокВласов, А. Т.; Поклонский, Н. А.; Хиеу, Нгуен Нгок; Вырко, С. А.
2006Блочно-регулярный метод моделирования нанокластеров в полупроводниковых матрицахВласов, А. Т.; Поклонский, Н. А.
2011ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ермакова, А. В.
2017Влияние облучения быстрыми нейтронами на инфракрасные спектры поглощения CVD-алмазовХомич, А. А.; Ральченко, В. Г.; Поклонская, О. Н.; Ковалев, А. И.; Козлова, М. В.; Попович, А. Ф.; Хмельницкий, Р. А.; Поклонский, Н. А.; Хомич, А. В.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2019Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импедансГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
1999Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 КЛастовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т.
2016Графен с дефектами: топология и применение в электромеханике : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.
2007Дефектообразование в природных алмазах при имплантации ионами водородаЛапчук, Н. М.; Поклонская, О. Н.; Хомич, А. В.; Хмельницкий, Р. А.; Заведеев, Е. В.; Поклонский, Н. А.
2016Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектамПоклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Вырко, С. А.; Власов, А.Т.
2019Диффузионно-дрейфовая модель миграции ионов по междоузлиям двумерной решеткиПоклонский, Н. А.; Бурый, А. О.; Абрашина-Жадаева, Н. Г.; Вырко, С. А.
2013Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2015ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2008Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробояПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А.
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
2010Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.