Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Медведева, И. Ф.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 13 из 13
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2001DLTS спектроскопия комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнииКомаров, Б. А.; Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Гусаков, В. Е.; Кучинский, П. В.; Lindstrom, J. L.
2008Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнииМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.; Комаров, Б. А.
2023Влияние предварительных термообработок на процессы радиационного дефектообразования в кристаллах p-SiМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Огородников, Д. А.
2003Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2022Влияние электрического поля на образование радиационно-индуцированных центров в кремний-германиевых сплавах p-типа при облучении альфа-частицамиЖданович, Д. Н.; Жданович, Н. Е.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Медведева, И. Ф.; Огородников, Д. А.; Фадеева, Е. А.
2014Калибровочный коэффициент для определения концентрации А-центров в Si методом ИК поглощенияМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Лукша, С. В.
2021О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнииМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2007Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медьМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2016Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2017Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составомМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
Результаты 1 - 13 из 13