Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Гусаков, В. Е.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 18 из 18
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2012AB INITIO ИССЛЕДОВАНИЕ ДИМЕРА КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ: СТРУКТУРА, КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ СПЕКТР, ДИФФУЗИЯГусаков, В. Е.
2001DLTS спектроскопия комплексов радиационный дефект - остаточная примесь в кремнииКомаров, Б. А.; Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Гусаков, В. Е.; Кучинский, П. В.; Lindstrom, J. L.
2015АДАПТАЦИЯ ПАКЕТОВ КВАНТОВОЙ ХИМИИ ДЛЯ РАСЧЕТОВ НА GPU ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СИСТЕМГусаков, В. Е.; Белько, В. И.; Дорожкин, Н. Н.
2007Влияние гидростатического давления на диффузию междоузлия в кристаллах Si, Ge, Si<Ge>: квантово-химическое моделированиеГусаков, В. Е.; Белько, В. И.; Дорожкин, Н. Н.
2010Влияние нанокластеров кремния на точковые мутации ДНК: квантовохимический анализГусаков, В. Е.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2008Кремниевые нанотрубки: моделирование структурной устойчивости и диффузионнъiх процессовГусакова, Ю. В.; Поклонский, Н. А.; Гусаков, В. Е.
2011МАССОПЕРЕНОС В Si ПРИ НАНЕСЕНИИ Ti ТОНКИХ ПЛЕНОК, АССИСТИРОВАННОМ СОБСТВЕННЫМИ ИОНАМИМихалкович, О. М.; Гусаков, В. Е.; Ташлыков, И. С.
2012МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ В НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2013Моделирование формирования {311}-дефектов в ионно-облученном кремнииБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2008Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-карлоБелько, В. И.; Бородин, В. А.; Гусаков, В. Е.; Дорожкнн, Н. Н.; Кондратьева, О. М.
2010ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ В Si1–xGex СПЛАВАХ: КВАНТОВОХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗГусаков, В. Е.
2008Особенности диффузионных процессов и формирования собственных дефектов в наноструктурных материалах: квантово-химическое моделированиеГусаков, В. Е.
2019Параметризация потенциала в форме EDIP для германияБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2010ПОТЕНЦИАЛ EDIP ДЛЯ ГЕРМАНИЯ: ПАРАМЕТРИЗАЦИЯ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2016Радиационная стойкость наноразмерных структур: исследование методом молекулярной динамикиБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2011РАЗНОМАСШТАБНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ СОБСТВЕННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИБелько, В. И.; Гусаков, В. Е.; Дорожкин, Н. Н.
2014Решение проблемы расчета ширины запрещенной зоны полупроводников в рамках метода функционала плотностиГусаков, В. Е.
Результаты 1 - 18 из 18