Logo BSU

Просмотр Авторы Воробей, Р. И.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 7 из 7
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методомТявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2016Бесконтактное определение пространственного распределения времени жизни неравновесных носителей заряда в кремнии на основе анализа спектральной зависимости поверхностной фотоЭДСЖарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.
2020Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схемТявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2022Комбинированный оптико-магниторекомбинационный преобразовательВоробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.
2022Контроль качества полупроводниковых материалов и приборных структур с использованием измерительной установки СКАН-2019Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2008Неразрушающий контроль пространственного распределения структурных дефектов в приповерхностных областях полупроводниковых структурВоробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Пилипeнкo, В. А.; Плeбaнoвич, В. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Чигирь, Г. Г.
2016Фотоприемники с расширенным динамическим диапазоном на основе полупроводников с многозарядными примесямиВоробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Тявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Свистун, А. И.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В.