Просмотр Авторы Wieck, A.
Результаты 4 - 13 из 13
< предыдущий
| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2018 | Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A. |
| 2015 | ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ SrTiO3 ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ АРГОНА | Доросинец, В. А.; Wieck, A. |
| 2013 | Оптические свойства имплантированных ионами C, N и Mn пленок MgO | Доросинец, В. А.; Dobrinets, I. A.; Wieck, A. |
| 2012 | ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК–МЕТАЛ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ZnO ИОНАМИ КОБАЛЬТА | Харченко, А. А.; Шварков, С. Д.; Гумаров, А. И.; Валеев, В. Ф.; Хайбуллин, Р. И.; Лукашевич, М. Г.; Wieck, A.; Оджаев, В. Б. |
| 2010 | СПИН-ОРБИТАЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В МЕТАЛЛ-УГЛЕРОДНЫХ КОМПОЗИТАХ ВБЛИЗИ ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК | Доросинец, В. А.; Башмаков, И. А.; Reuter, D.; Wieck, A.; Shvarkov, S. |
| 2017 | Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A. |
| 2016 | Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A. |
| 2019 | Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |
| 2019 | Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |
| 2017 | Электропроводность на переменном токе пленок диоксида олова, модифицированных вакуумным отжигом | Ксеневич, В. К.; Горбачук, Н. И.; Адамчук, Д. В.; Wieck, A. |
