Logo BSU

Просмотр Авторы Poklonski, N. A.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 63  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003A semiclassical approach to Coulomb scattering of conduction electrons on ionized impurities in nondegenerate semiconductorsPoklonski, N. A.; Vyrko, S. A.; Yatskevich, V. I.; Kocherzhenko, A. A.
2013AA stacking, tribological and electronic properties of double-layer graphene with krypton spacerPopov, A. M.; Lebedeva, I. V.; Knizhnik, A. A.; Lozovik, Yu. E.; Potapkin, B. V.; Poklonski, N. A.; Siahlo, A. I.; Vyrko, S. A.
2014Advanced pulse EPR study of natural Mongolian coalsMunkhtsetseg, S.; Lapchuk, N. M.; Poklonski, N. A.; Gorbachuk, N. I.; Tsookhuu, Kh.; Shilagardi, G.; Tsogbadrakh, N.; Lapchuk, T. M.
2002Bond alternation in carbon nanotubesPoklonski, N. A.; Bubel', О. N.; Kislyakov, Е. F.; Vyrko, S. A.
2014Carbon low-dimensional systems in electromechanicsPoklonski, N. A.
2021Computational insights into structural, electronic, and optical properties of Janus GeSO monolayerDo, T.-N.; Hieu, N. N.; Poklonski, N. A.; Binh, N. T. T.; Nguyen, C. Q.; Hien, N. D.
2021Curie–Weiss behavior of the low-temperature paramagnetic susceptibility of semiconductors doped and compensated with hydrogen-like impuritiesPoklonski, N. A.; Dzeraviaha, A. N.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.; Veinger, A. I.; Semenikhin, P. V.
2014CW EPR study of natural Mongolian coalsMunkhtsetseg, S.; Lapchuk, N. M.; Poklonski, N. A.; Gorbachuk, N. I.; Tsookhuu, Kh.; Shilagardi, G.; Tsogbadrakh, N.; Oleshkevich, A. N.
2023DC hopping photoconductivity via three-charge-state point defects in partially disordered semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.
2021Design of Peltier element based on semiconductors with hopping electron transfer via defectsPoklonski, N. A.; Vyrko, S. A.; Kovalev, A. I.; Anikeev, I. I.; Gorbachuk, N. I.
2018Drift-diffusion model of hole migration in diamond crystals via states of valence and acceptor bandsPoklonski, N. A.; Vyrko, S. A.; Kovalev, A. I.; Dzeraviaha, A. N.
2018Effect of neutron irradiation on the hydrogen state in CVD diamond filmsKhomich, A. A.; Dzeraviaha, A. N.; Poklonskaya, O. N.; Khomich, A. V.; Khmelnitsky, R. A.; Poklonski, N. A.; Ralchenko, V. G.
2018Effect of neutron irradiation on the hydrogen state in CVD diamond filmsKhomich, A. A.; Dzeraviaha, A. N.; Poklonskaya, O. N.; Khomich, A. V.; Khmelnitsky, R. A.; Poklonski, N. A.; Ralchenko, V. G.
2011Effect of Peierls transition in armchair carbon nanotube on dynamical behaviour of encapsulated fullerenePoklonski, N. A.; Vyrko, S. A.; Kislyakov, E. F.; Hieu, N. N.; Bubel, O. N.; Popov, A. M.; Lozovik, Yu. E.; Knizhnik, A. A.; Lebedeva, I. V.; Viet, N. A.
2021Electronic, optical, and thermoelectric properties of Janus In-based monochalcogenidesVu, T. V.; Vi, V. T. T.; Phuc, H. V.; Nguyen, C. V.; Poklonski, N. A.; Duque, C. A.; Rai, D. P.; Hoi, B. D.; Hieu, N. N.
2023Expansion of nanotube cap due to migration of sp atoms from lateral surfacePolynskaya, Yu. G.; Sinitsa, A. S.; Vyrko, S. A.; Ori, O.; Popov, A. M.; Knizhnik, A. A.; Poklonski, N. A.; Lozovik, Yu. E.
2019Features of the 1640 cm−1 band in the Raman spectra of radiation-damaged and nano-sized diamondsKhomich, A. A.; Averin, A. A.; Poklonskaya, O. N.; Bokova-Sirosh, S. N.; Dzeraviaha, A. N.; Khmelnitsky, R. A.; Vlasov, I. I.; Shenderova, O.; Poklonski, N. A.; Khomich, A. V.
2017First-principles study of the structural and electronic properties of graphene/MoS2 interfacesHieu, N. N.; Phuc, H. V.; Ilyasov, V. V.; Chien, N. D.; Poklonski, N. A.; Hieu, N. V.; Nguyen, C. V.
2017First-principles study of the structural and electronic properties of graphene/MoS2 interfacesHieu, N. N.; Phuc, H. V.; Ilyasov, V. V.; Chien, N. D.; Poklonski, N. A.; Van Hieu, N.; Nguyen, C. V.
2020Graphene membrane-based NEMS for study of interface interactionSiahlo, A. I.; Popov, A. M.; Poklonski, N. A.; Lozovik, Yu. E.; Vyrko, S. A.