Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Ювченко, В. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 27  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2019Влияние ионизирующего излучения на характеристики приборов полупроводниковой электроникиМискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н.
2023Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на рабочие характеристики кремниевых биполярных транзисторовМискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Ермолаев, А. П.; Шпаковский, С. В.; Богатырёв, Ю. В.; Заяц, Г. М.
2007Возможные эффекты захвата быстрых бомбардирующих ионов 86Kr7+ с начальной энергией E(Kr)=394 МэВ и ПВА от них в режим аксиального каналирования при облучении монокристаллического GaAsВласукова, Л. А.; Дидык, А. Ю.; Хофман, А.; Ювченко, В. Н.; Грачева, Е. А.
1995Динамика излучения многомодовых инжекционных лазеровМанак, И. С.; Ювченко, В. Н.
2016Ионно-лучевое формирование и трековая модификация нанокластеров InAs в кремнии и диоксиде кремнияКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Скуратов, В. А.; Моховиков, М. А.; van Vuuren, A. Janse; Neethling, J. N.; Wendler, E.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Ювченко, В. Н.
2009Локальные тепловые процессы в монокри-сталических полупроводниках при ионной имплантацииУрбанович, А. И.; Ювченко, В. Н.
2003Методы управления длиной волны лазерного излучения : обзорДубовик, В. И.; Манак, И. С.; Ювченко, В. Н.
2017Моделирование влияния проникающих излучений на биполярные и МДП-транзисторыМискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А.
2017Моделирование воздействия гамма-излучения на биполярные транзисторыМискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А.
2017Моделирование воздействия рентгеновских и гамма-квантов на характеристики МОП-транзисторовКомаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н.; Мискевич, С. А.
2023Моделирование генерации дополнительных носителей заряда в кремниевых структурах при облучении тяжелыми ионами высоких энергийЮвченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Мискевич, С. А.; Ермолаев, А. П.
2019Моделирование изменений рабочих характеристик p-МОП транзисторов при воздействии рентгеновского и гамма-излученияЮвченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Мискевич, С. А.
2021Моделирование радиационных изменений рабочих характеристик биполярных структурМискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Заяц, Г. М.
2020Моделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурахМискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.
2012Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремнияВласукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Дидык, А. Ю.; Скуратов, В. А.; Кислицын, С. Б.
2012Новый нанопористый материал на основе аморфного диоксида кремнияВласукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Дидык, А. Ю.; Скуратов, В. А.; Кислицын, С. Б.
2003Прогнозирование параметров ионной имплантации в кремний в технологии КНИ (smart-cut)Миронов, А. М.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Партыка, Я.; Ковальски, М.
2016Разработка и исследование процессов создания нанопористых материалов на основе структур SiO2/Si, Si3N4/Si для систем микро-, опто- и наноэлектроники методом вытравливания треков : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. А. ВласуковаВласукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Константинов, С. В.
2015Разработка метода высоколокального элементного анализа при атмосферном давлении и физико-технологических режимов трековой нанолитографии на структурах Al2O3/SiO2/Si и Al2O3/Si3N4/Si. Подпрограмма «Наноматериалы и нанотехнологии». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» на 2014-2015 гг. : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Ф. Ф. КомаровКомаров, Ф. Ф.; Камышан, А. С.; Власукова, Л. А.; Романовский, Д. В.; Ювченко, В. Н.; Дзираева, Ю. О.
2010Разработка физико-технологических основ формирования канальных структур SiO2 для трековой электроники : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Власукова, Л. А.Власукова, Л. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Мильчанин, О. В.; Леонтьев, А. В.; Цыбульский, В. В.; Терентьева, О. В.; Дзираева, Ю. О.
Результаты 1 - 20 из 27  следующий >