Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Шпаковский, С. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:

Результаты 35 - 39 из 39 < предыдущий

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
2014	Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.
2017	Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
2016	Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2019	Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2019	Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.

Результаты 35 - 39 из 39 < предыдущий