Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Шпаковский, С. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 19 - 38 из 39 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2012ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2002Определение времени жизни носителей заряда в полупроводниковом диоде из измерений высокочастотного импедансаШпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.
2012ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
2014Перенос заряда в кремниевых p+n-диодах со сформированным высокоэнергетической имплантацией тяжелых ионов потенциальным рельефом в базовой области : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Н. И. ГорбачукГорбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.
2014Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2020Радиационностойкие электронные компоненты для космической техникиБогатырев, Ю. В.; Кетько, А. В.; Ластовский, С. Б.; Лозицкий, Е. Г.; Огородников, Д. А.; Пиловец, С. А.; Шпаковский, С. В.
2014Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ластовский, С. Б.; Скуратов, В. А.
2014Разработка физико-технологических методов создания бездислокационных легированных слоев кремния и моделирование переходных процессов на границах раздела структур субмикронных интегральных микросхем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. ОджаевОджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Петров, В. В.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.; Сидоренко, Ю. В.; Садовский, П. К.
2018Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектовПоклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2010Создание аналогов катушек индуктивности на основе кремниевых приборных структур с дефектами кристаллической решетки : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Горбачук, Н. И.Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ермакова, А. В.; Долгая, Т. Н.
2023Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелияГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2023Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелияГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2003Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2022Температурная стабильность заряда, накопленного в структурах Al/Si3N4/SiO2/SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2021Устройство для демонстрации электростатических полей в лекционном экспериментеГорбачук, Н. И.; Буров, Л. И.; Поклонский, Н. А.; Неверов, Д. С.; Шпаковский, С. В.
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2014Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащенияПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.
2017Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
Результаты 19 - 38 из 39 < предыдущий   следующий >