Logo BSU

Просмотр Авторы Турцевич, А. С.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 14 - 27 из 27 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2013Морфология и электрофизические свойства структур PtSi/Si, сформированных на аморфном кремнииНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Чиж, К. В.; Резник, В. Я.; Юрьев, В. А.; Новиков, А.; Гайдук, П. И.
2008Низкотемпературное формирование силицидов платины для силовых диодов ШотткиКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Конопляник, И. В.; Шабека, Е. П.; Соловьев, Я. А.; Турцевич, А. С.
2016Оптимизация процесса химико-механической полировки вольфрама для формирования межсоединений субмикронных ИМСНаливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.
2018Осаждение пленок оксида кремния с использованием плазменной активации при производстве интегральных схемНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Пшеничный, E. Н.
ноя-2019Осаждение пленок поликристаллического кремния, легированного в процессе роста фосфором, в вертикальном реакторе пониженного давленияНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Завадский, С. М.; Жигулин, Д. В.
2013Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТОПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Петлицкая, Т. В.
2016Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукциейЛагунович, Н. Л.; Турцевич, А. С.; Борздов, В. М.
2022Сегрегационно-индуцированное формирование нанокристаллов Ge в оксиде кремнияНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Плебанович, В. И.; Гайдук, П. И.
2013Создание слоя микропористого кремния путем имплантации ионов сурьмыСадовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Тарасик, М. И.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б.
2012ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ, СТРУКТУРА И ДЕФЕКТНОСТЬ ПОСАДКИ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВВаськов, О. В.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Турцевич, А. С.; Рубцевич, И. И.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.
2012ФОРМИРОВАНИЕ БАРЬЕРОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ СИЛИЦИДНОГО НИКЕЛЬ-ПЛАТИНОВОГО СПЛАВАСолодуха, В. А.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Ковалева, Т. Б.
2016Формирование межкомпонентной изоляции канавками, заполненными диэлектрикомНаливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.; Кисель, А. М.
янв-2011Формирование нанослоев Ge пиролизом моногермана при пониженном давленииЗайков, В. А.; Гайдук, П. И.; Новиков, А. Г.; Прокопьев, С. Л.; Турцевич, А. С.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.; Карпович, В. Б.
2016Формирование слоев полицида титана для интегральных микросхем с субмикронными проектными нормамиНаливайко, О. Ю.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С.