| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2008 | Анализ качества посадки кристаллов мощных кремниевых MOSFET транзисторов тепловыми методами | Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С. |
| 2014 | Быстрая термическая обработка в технологических процессах синтеза дисилицида титана в модификациях С54 и С49 в системе TiN/Ti/Si | Маркевич, М. И.; Турцевич, А. С.; Стельмах, В. Ф.; Першукевич, П. П.; Чапланов, А. М. |
| 2012 | ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СУРЬМЫ С МИКРОПОРАМИ ГЕТТЕРНОГО СЛОЯ В КРЕМНИИ | Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Тарасик, М. И.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ | Богатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И. |
| 2018 | Влияние структуры знаков совмещения на их «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремния | Наливайко, О. Ю.; Бахматова, Н. А.; Ковальчук, Н. C.; Турцевич, А. С.; Ратино, А. К. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА | Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2018 | Выращивание эпитаксиальных слоев кремния с использованием трихлорсилана | Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Рудницкий, К. В.; Шамплет, А. В.; Нагаев, И. А. |
| 2014 | Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методом | Сохраби, Анараки Х.; Гапоненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Гук, А. Ф.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С. |
| 2008 | Исследование влияния условии осаждения на структуру и морфологические свойства слоев поликристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом | Турцевич, А. С.; Наливайко, О. Ю.; Гайдук, П. И.; Лепешкевич, Г. В. |
| 2017 | Исследование начальных стадий роста пленок Si1-хGeх в горизонтальном реакторе пониженного давления | Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Жигулин, Д. В.; Наливайко, В. О. |
| 2015 | Исследование начальных стадий роста пленок германия в горизонтальном реакторе пониженного давления. | Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Жигулин, Д. В. |
| 2014 | Исследование структуры теплового сопротивления ДМОП-транзисторов неразрушающим методом ТРДС | Нисс, В. С.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Турцевич, А. С.; Рубцевич, И. И.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. |
| 2014 | Кремниевые структуры с глубокими отверстиями и их применение в интегральной электронике | Лазарук, С. К.; Долбик, А. В.; Высоцкий, В. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Лабунов, В. А. |
| 2013 | Морфология и электрофизические свойства структур PtSi/Si, сформированных на аморфном кремнии | Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Чиж, К. В.; Резник, В. Я.; Юрьев, В. А.; Новиков, А.; Гайдук, П. И. |
| 2008 | Низкотемпературное формирование силицидов платины для силовых диодов Шоттки | Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Конопляник, И. В.; Шабека, Е. П.; Соловьев, Я. А.; Турцевич, А. С. |
| 2016 | Оптимизация процесса химико-механической полировки вольфрама для формирования межсоединений субмикронных ИМС | Наливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С. |
| 2018 | Осаждение пленок оксида кремния с использованием плазменной активации при производстве интегральных схем | Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Пшеничный, E. Н. |
| ноя-2019 | Осаждение пленок поликристаллического кремния, легированного в процессе роста фосфором, в вертикальном реакторе пониженного давления | Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Завадский, С. М.; Жигулин, Д. В. |
| 2013 | Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТО | Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Петлицкая, Т. В. |
| 2016 | Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукцией | Лагунович, Н. Л.; Турцевич, А. С.; Борздов, В. М. |
