Logo BSU

Просмотр Авторы Сперанский, Д. С.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 16 из 16
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2008Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволокеБорздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М.
2009Использование многосеточного метода для решения уравнения Пуассона в задаче моделирования приборных структур методом Монте-КарлоСперанский, Д. С.
2009Использование многосеточного метода для решения уравнения Пуассона в задаче моделирования приборных структур методом Монте-КарлоСперанский, Д. С.
мая-2006Моделирование влияния про­цесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзистореГаленчик, В. О.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2015Моделирование токовых флуктуаций в полупроводниковых наноструктурах. По заданию 2.2.06 «Разработка моделей для расчета и исследования квантоворазмерных наноструктур». ГПНИ «Функциональные и композиционные материалы, наноматериалы» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.; Сетун, А. Н.
мая-2009Определение концентрации примеси и дрейфовой скорости электронов в высоколегированном короткоканальном nМОП-транзистореАндреев, А. Д.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М.; Сперанский, Д. С.
2015Определение полярного угла рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках методом Монте-Карло.Борздов, В. М.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.
2013Построение и программная реализация параллельных алгоритмов для решения задач диффузии примесных атомов и электропереноса носителей заряда в полупроводниковых приборных структурах интегральной электроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Ерофеенко, В. Т.
2010Разработать модели и программное обеспечение для расчета характеристик приборов на системах с низкоразмерным электронным газом с размерами активных областей 100-10 нанометров : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.
2010Разработать физико-математические модели, алгоритмы и программный комплекс для расчета электрических характеристик кремниевых субмикронных моп-транзисторов со структурным каналом : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сетун, А. Н.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.
2008Расчет методом Монте-Карло функции распределения горячих электронов в n-канале субмикронного МОП-транзистораСперанский, Д. С.
2008Расчет методом Монте-Карло функции распределения горячих электронов в n-канале субмикронного МОП-транзистораСперанский, Д. С.
мая-2012Расчет эффективной пороговой энергии ударной ионизации в канале глубоко субмикронного МОП-транзистораСперанский, Д. С.; Борздов, А. В.
2010Формирование магнитных наноструктурных пленок и нанопроволок в матрице анодного оксида алюминия, исследование их физических свойств и моделирование ряда приборных структур на их основе для перспективных конструкций сверх плотной записи- считывания информации : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.; Долгая, Т. Н.
2010Эффективный алгоритм розыгрыша угла рассеяния на ионизированной примеси в модели исключения третьего телаСперанский, Д. С.; Борздов, В. М.