Logo BSU

Просмотр Авторы Рагойша, Г. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 29  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2015Анодное окисление хлорид-анионов на платине в концентрированных водных растворах хлоридов s-металловАвчинникова, Т. А.; Рабчинский, С. М.; Чулкин, П. В.; Стрельцов, Е. А.; Рагойша, Г. А.
1993Анодные реакции в микрогетерогенных системах Ag-SnO2 и Ag-стеклоуглеродРагойша, Г. А.
2013Дизайн чувствительных к видимому свету фотовольтаических ячеек на основе квантовых точек халькогенидов металлов, широкозонных оксидных полупроводников и производных графена : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Стрельцов, Е. А.Стрельцов, Е. А.; Рагойша, Г. А.
2015Зависимость подпотенциального сдвига катодного осаждения металлов на теллур от энергии Гиббса образования теллуридовАнискевич, Е. Н.; Чулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2015Зависимость подпотенциального сдвига катодного осаждения металлов на теллур от энергии Гиббса образования теллуридовАнискевич, Е. Н.; Чулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2010Импедансная спектроскопия на вращающемся дисковом электродеЧулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.
2010Импедансная спектроскопия на вращающемся дисковом электродеЧулкин, П. В.; Рагойша, Г. А.
2010Исследование процессов электрохимичекой атомной сборки наноразмерных полупроводниковых халькогенидов металлов : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Стрельцов, Е. А.Стрельцов, Е. А.; Рагойша, Г. А.; Иванов, Д. К.; Рабчинский, С. М.; Иванова, Ю. А.
2010Катодное осаждение кадмия на поверхность поликристаллического p-Se: сопоставление темнового и фотоэлектрохимического процессовРабчинский, С. М.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2010Катодное осаждение кадмия на поверхность поликристаллического р-Se: сопоставление темнового и фотоэлектрохимического процессовРабчинский, С. М.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2000Компьютеризованный электрохимический комплекс на основе потенциостата ПИ-50-1Рагойша, Г. А.
2018Лигандный и размерный эффекты при электрохимическом осаждении атомных слоев кадмия на квантовые точки CdSeАнискевич, Е. Н.; Прудников, А. В.; Антанович, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2018Лигандный и размерный эффекты при электрохимическом осаждении атомных слоев кадмия на квантовые точки CdSeАнискевич, Е. Н.; Прудников, А. В.; Антанович, А. В.; Артемьев, М. В.; Рагойша, Г. А.; Стрельцов, Е. А.
2012Многофакторная потенциодинамическая электрохимическая характеризация полупроводниковых наногетероструктур TiO2/PbS, ZnO/PbS и ZnO/CdSРагойша, Г. А.; Чулкин, П. В.; Рабчинский, С. М.; Стрельцов, Е. А.; Строюк, А. Л.; Кучмий, С. Я.
1983О химической сенсибилизации тонкопленочных TiO2-слоевНечепуренко, Ю. В.; Рагойша, Г. А.; Соколов, В. Г.; Рахманов, А. К.; Браницкий, Г. А.
2017Подпотенциальное осаждение (upd) металлов на халькогениды металловРагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.
2017Подпотенциальное осаждение (upd) металлов на халькогениды металловРагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.
2013Потенциодинамическая электрохимическая импедансная спектроскопия Pt-электродов при совместной адсорбции ионов Cl- и Mg2+Рагойша, Г. А.; Авчинникова, Т. А.; Стрельцов, Е. А.
2001Разработка компьютеризованных электрохимических методов исследования ультрадисперсных веществ и тонких пленокРагойша, Г. А.; Бондаренко, А. С.
2023Сверхрешетки Bi5Te3 как катодный материал водного цинк-ионного аккумулятораБоковец, А. С.; Рагойша, Г. А.; Анискевич, Е. Н.; Стрельцов, Е. А.