Logo BSU

Browsing by Author Просолович, В. С.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 4 to 23 of 69 < previous   next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2008Взаимодействие атомов золота с преципитатами кислорода в монокристаллическом кремнииВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, О. Н.; Янковский, Ю. Н.
2015Владимир Борисович ОджаевАзарко, И. И.; Просолович, В. С.
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2017Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремниюПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Степнов, А. К.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.
1990Влияние предварительной высокотемпературной обработки и металлических сеттеров на процессы генерации термодоноров в кремнииБринкевич, Д. И.; Фарид Нассур; Петров, В. В.; Просолович, В. С.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2001Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантацииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2003Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесямиБринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2018Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2010Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремнийБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Волобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2014Исследование прочностных свойств монокристаллов и пластин полупроводников, обусловленных напряженно-деформированным и дефектно-примесным состоянием кристаллической решетки : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.