Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2015 | Владимир Борисович Оджаев | Азарко, И. И.; Просолович, В. С. |
| 2022 | Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов | Оджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2021 | Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. |
| 2020 | Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2020 | Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2020 | Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2017 | Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию | Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Степнов, А. К.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И. |
| 2021 | Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 1990 | Влияние предварительной высокотемпературной обработки и металлических сеттеров на процессы генерации термодоноров в кремнии | Бринкевич, Д. И.; Фарид Нассур; Петров, В. В.; Просолович, В. С. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА | Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2022 | Влияние ультрафиолетового излучения на парамагнетизм модифицированной ионами азота и отожженной в процессе БТО пленки диоксида кремния | Олешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М. |
| 2020 | Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2001 | Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантации | Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |
| 2003 | Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесями | Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |
| 2018 | Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| ноя-2023 | Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии | Бринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Ластовский, С. Б. |
| 2021 | Ионная имплантация диазохинонноволачных резистов | Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н. |