Logo BSU

Просмотр Авторы Просолович, В. С.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 16 - 35 из 99 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Влияние ультрафиолетового излучения на парамагнетизм модифицированной ионами азота и отожженной в процессе БТО пленки диоксида кремнияОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2001Дефектообразование в кремнии при высокоэнергетичной ионной имплантацииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2003Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесямиБринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
ноя-2023Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографииБринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Ластовский, С. Б.
2021Ионная имплантация диазохинонноволачных резистовБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2018Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2010Исследование методом микроиндентирования имплантированных низкоэнергетичными ионами Sb+ структур фотополимер-кремнийБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Волобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2014Исследование прочностных свойств монокристаллов и пластин полупроводников, обусловленных напряженно-деформированным и дефектно-примесным состоянием кристаллической решетки : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.
2010Исследование структурных, механических и магнитных свойств неупорядоченных систем на основе монокристаллического кремния, легированного нетрадиционными примесями : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.; Янковский, Ю. Н.
2022Исследование структуры полиимидных пленок на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Колос, В. Ф.; Зубова, О. А.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2010Комплексный подход к изучению процессов образования ростовых и постростовых дефектов в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых методом ЧохральскогоВерезуб, Н. А.; Простомолотов, А. И.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.
2007Микротвердость кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами бораВабищевич, C. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2012МИКРОТВЕРДОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.