Logo BSU

Просмотр Авторы Поклонский, Н. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 108 - 121 из 121 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2014Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащенияПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.
2017Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
2022Электрическая поляризация низкоразмерных полупроводниковых систем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2018Электромагнитные и механические свойства гетероструктур на основе графена. Договор с БРФФИ № Ф16Р-107 от 20 мая 2016 г. : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. И. СяглоСягло, А. И.; Поклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.
2016Электромагнитные отражатели на основе частотно-селективной поверхности для субметровых длин волнСягло, А. И.; Туан, Динь Ань; Кишкель, Н. В.; Широкий, Д. Н.; Поклонский, Н. А.
2014Электромеханический вибратор из графена: условия генерации электрических колебанийПоклонский, Н. А.; Кисляков, Е. Ф.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.
2011ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС И КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В КРИСТАЛЛЕ ПРИРОДНОГО АЛМАЗА, ИМПЛАНТИРОВАННОМ ИОНАМИ НИКЕЛЯ С ЭНЕРГИЕЙ 335 МэВПоклонская, О. Н.; Лапчук, Н. М.; Поклонский, Н. А.
2023Электростатическая модель энергии активации прыжковой электропроводности слабо легированного и слабо компенсированного кремния p-типаПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
2020Электрофизика границы полупроводник–водяной парПоклонский, Н. А.
2015Энергетика переключения метастабильных состояний фрагмента графена с топологическими дефектами.Власов, А. Т.; Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.
2003ЭПР облученных гамма-квантами монокристаллов синтетического алмазаПоклонский, Н. А.; Гусаков, Г. А.; Лапчук, Н. М.; Горбачук, Н. И.