Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Поклонский, Н. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 96 - 115 из 121 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2022Температурная стабильность заряда, накопленного в структурах Al/Si3N4/SiO2/SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
14-апр-2009ТЕОРИЯ ГРУПП СИММЕТРИИ. №ТД-G.182/тип.Поклонский, Н. А.
2020Термическая энергия ионизации водородоподобных примесей в полупроводниковых материалахПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Деревяго, А. Н.
2003Точечные группы симметрииПоклонский, Н. А.
2010ТУННЕЛЬНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ МЕЖДУ СЛОЯМИ БИСЛОЯ ГРАФЕНАПоклонский, Н. А.; Кисляков, Е. Ф.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.
2021Упорядочение нескомпенсированных спиновых магнитных моментов электронов в радиационно-модифицированных алмазахПоклонский, Н. А.; Свито, И. А.; Вырко, С. А.; Поклонская, О. Н.; Ковалев, А. И.; Мартьянов, А. К.; Козлова, М. В.; Хомич, А. В.
2021Устройство для демонстрации электростатических полей в лекционном экспериментеГорбачук, Н. И.; Буров, Л. И.; Поклонский, Н. А.; Неверов, Д. С.; Шпаковский, С. В.
2010ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД В ОБЛУЧЕННЫХ НЕЙТРОНАМИ КРИСТАЛЛАХ ПРИРОДНОГО АЛМАЗА, ОТОЖЖЕННЫХ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ И ДАВЛЕНИЯХПоклонский, Н. А.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Поклонская, О. Н.
2023Физика полупроводниковых систем. Основные понятия [Предисловие, Пролог]Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Поклонская, О. Н.
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2018Чувствительность к влажности иттрий-стабилизированного диоксида цирконияLyubchyk, A.; Ксеневич, В. К.; Поклонский, Н. А.; Адамчук, Д. В.; Ковалев, А. И.
2014Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащенияПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.
2017Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
2022Электрическая поляризация низкоразмерных полупроводниковых систем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2018Электромагнитные и механические свойства гетероструктур на основе графена. Договор с БРФФИ № Ф16Р-107 от 20 мая 2016 г. : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. И. СяглоСягло, А. И.; Поклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.
2016Электромагнитные отражатели на основе частотно-селективной поверхности для субметровых длин волнСягло, А. И.; Туан, Динь Ань; Кишкель, Н. В.; Широкий, Д. Н.; Поклонский, Н. А.
Результаты 96 - 115 из 121 < предыдущий   следующий >