Logo BSU

Просмотр Авторы Поклонский, Н. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 45 - 64 из 121 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Локализация внешним магнитным полем электронов на ионах водородоподобных доноров в невырожденных полупроводникахПоклонский, Н. А.; Деревяго, А. Н.; Вырко, С. А.
2013Локальная симметрия и индуктивность углеродных низкоразмерных систем : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; рук. Н.А. Поклонский.Поклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.; Сягло, А. И.
2019Магнетизм сильно легированных водородоподобными примесями ковалентных полупроводников : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Деревяго, А. Н.
2014Магнитные состояния электрически нейтральной молекулы фталоцианина оловаПоклонский, Н. А.; Раткевич, С. В.; Вырко, С. А.; Кисляков, Е. Ф.
2022Максимальная прыжковая электропроводность на постоянном токе по водородоподобным примесям в полупроводникахПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Аникеев, И. И.; Забродский, А. Г.
2021Математическое и компьютерное моделирование полупроводниковых систем различной размерности и элементов приборных структур на их основеПоклонский, Н. А.
сен-2007Методика определения величины магнитной компоненты микроволнового поля в спектрометре электронного спинового резонансаБаев, В. Г.; Поклонский, Н. А.
2020Миграция электронов по трехзарядным дефектам кристаллической матрицыПоклонский, Н. А.; Деревяго, А. Н.; Вырко, С. А.; Ковалев, А. И.
2019Модель автоэлектронной эмиссии из торца плоского графена в вакуумПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.; Власов, А. Т.
2023Модель донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия при низких температурахПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
2023Модель донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия при низких температурахПоклонский, Н. А.; Аникеев, И. И.; Вырко, С. А.
2000Модель зависимости энергии связи триона в квантовой яме от концентрации электроновПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.
2013МОДЕЛЬ КАНТИЛЕВЕРА ИЗ УГЛЕРОДНОЙ ПОВЕРХНОСТИПоклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.
2020Модель стационарной миграции свободных и прыгающих между акцепторами дырок в кристаллическом полупроводникеПоклонский, Н. А.; Деревяго, А. Н.; Вырко, С. А.
2015Модификация электрической и магнитной активности дефектов структуры синтетических алмазов при термобарических и радиационных воздействиях. Подпрограмма «Кристаллические и молекулярные структуры». По заданию 1.29. ГПНИ «Функциональные и машиностроительные материалы, наноматериалы» на 2014 - 2015 гг. : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Сягло, А. И.; Горбачук, Н. И.; Поклонская, О. Н.; Ковалев, А. И.; Русецкий, М. С.; Казючиц, Н. М.; Кабак, Ю. К.; Казючиц, В. Н.
2015Молекула фталоцианина олова между графеновыми плоскостями как терагерцевый осциллятор.Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Кисляков, Е. Ф.; Раткевич, С. В.
2016Наноэлектромеханика низкоразмерных углеродных систем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель А. И. СяглоСягло, А. И.; Поклонский, Н. А.; Власов, А. Т.; Вырко, С. А.; Раткевич, С. В.
2007Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектамиПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.
2012ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2023Ограничение сверхскользскости: влияние релаксации структуры и наличия атомных дефектов на примере повернутых слоев графенаПопов, А. М.; Минкин, А. С.; Лебедева, И. В.; Книжник, А. А.; Вырко, С. А.; Поклонский, Н. А.; Лозовик, Ю. Е.