Logo BSU

Просмотр Авторы Петлицкий, А. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 32 - 46 из 46 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2021Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2023Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60СoЛастовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Точилин, Е. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2023Распознавание объектов на рентгеновских цифровых изображениях с низким контрастомТрапенок, Н. В.; Кольчевская, И. Н.; Косенко, А. Д.; Мозгалёв, С. В.; Петлицкий, А. Н.; Дудчик, Ю. И.; Кольчевский, Н. Н.
2008Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелияТарасик, М. И.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Федотов, А. К.; Янченко, А. М.
2017Роль нитрида титана в технологии формирования силицидов титанаМаркевич, М. И.; Чапланов, А. М.; Першукевич, П. П.; Короза, А. Г.; Петлицкий, А. Н.; Жигулин, Д. В.; Кущев, С. Б.; Сериков, Д. В.
2018Силовая электроника № УД-6506/уч.Петлицкий, А. Н.
2022Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/SiОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.
2021Улучшение геттерирующих свойств сильнолегированных пластин монокристаллического кремния n-типаНаливайко, О. Ю.; Комар, И. И.; Петлицкая, Т. В.; Сечко, Т. Н.; Петлицкий, А. Н.
2012УПРОЧНЕНИЕ КРЕМНИЯ ВБЛИЗИ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА SIO2/SIБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Простомолотов, А. И.
2016Химическая чистота и параметры МОП-структур на кремнииВасильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.
10-сен-2023Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60СоКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Мавланов, Г. Х.; Исмайлов, Б. К.; Кенжаев, З. Т.
2017Электрофизические параметры генераторных диодов для создания широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Нерода, И. Ю.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2020Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шумаБуслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Янковский, Ю. Н.
2022Электрофизические характеристики силовых МОП-транзисторов, дополнительно имплантированных ионами азотаОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.